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七 镀通孔 7.1 制程目的 双面板以上完成钻孔后即进行镀通孔(Plated Through Hole , PTH)步骤，其目的使孔壁上之 非导体部份之树脂及玻纤束进行金属化( metalization ), 以进行后来之电镀铜制程,完成足够导 电及焊接之金属孔壁。 1986 年，美国有一家化学公司 Hunt 宣布 PTH 不再需要传统的贵金属及无电铜的金属化 制程,可用碳粉的涂布成为通电的媒介，商名为Black hole。之后陆续有其它不同base 产品上 市, 国内使用者非常多. 除传统PTH 外, 直接电镀(direct plating)本章节也会述及. 7.2 制造流程 去毛头→除胶渣→PTHa 一次铜 7.2.1. 去巴里 (deburr) 钻完孔后,若是钻孔条件不适当,孔边缘有 1.未切断铜丝2.未切断玻纤的残留,称为burr. 因其 要断不断,而且粗糙,若不将之去除,可能造成通孔不良及孔小,因此钻孔后会有de-burr 制程.也有 de-burr 是放在 Desmear 之后才作业.一般 de-burr 是用机器刷磨,且会加入超音波及高压冲洗的应 用.可参考表 4.1. 7.2.2. 除胶渣 (Desmear) A. 目的: a. Desmear b. Create Micro-rough 增加 adhesion B. Smear 产生的原因: 由于钻孔时造成的高温Resin 超过 Tg 值，而形成融熔状，终致产生胶渣。 此胶渣生于内层铜边缘及孔壁区，会造成 P.I.(Poor lnterconnection) C. Desmear 的四种方法: 硫酸法(Sulferic Acid) 、电浆法(Plasma)、铬酸法(Cromic Acid)、 高锰酸钾法 (Permanganate). a. 硫酸法必须保持高浓度，但硫酸本身为脱水剂很难保持高浓度，且咬蚀出的孔面光 滑无微孔，并不适用。 b. 电浆法效率慢且多为批次生产，而处理后大多仍必须配合其它湿制程处理，因此除 非生产特殊板大多不予采用。 c. 铬酸法咬蚀速度快，但微孔的产生并不理想，且废水不易处理又有致癌的潜在风险， 故渐被淘汰。 d. 高锰酸钾法因配合溶剂制程，可以产生微孔。同时由于还原电极的推出，使槽液安 定性获得较佳控制，因此目前较被普遍使用。 7.2.2.1 高锰酸钾法(KMnO4 Process): A.膨松剂(Sweller): a. 功能:软化膨松 Epoxy ，降低 Polymer 间的键结能，使KMnO4 更易咬蚀形成 Micro-rough 速 率 作 用 Concentration b. 影响因素: 见图7.1 c. 安全:不可和 KMnO4 直接混合，以免产生强烈氧化还原，发生火灾。 d. 原理解释: (1) 见图7.2 初期溶出可降低较弱的键结，使其键结间有了明显的差异。若浸泡过长，强 的 链接也渐次降低，终致整块成为低链接能的表面。如果达到如此状态，将无法形成不同强度结 面。若浸泡过短，则无法形成低键结及键结差异，如此 将使 KMnO4 咬蚀难以形成蜂窝面， 终致影响到 PTH 的效果。 (2) Surface Tension 的问题: 无论大小孔皆有可能有气泡残留，