半导体发光材料研究进展.ppt

1975： 利用H钝化悬挂键，大大降低缺陷密度，随后实现了p和n型掺杂 a-Si室温电导率随掺杂浓度变化 利用PECVD，可在低温(100-400度）大面积( 1m2)生长a-Si:H薄膜 低温：可使用廉价、柔性衬底，如玻璃、塑料 掺杂技术和合金技术简单，可制作低成本太阳能电池 以及平板显示薄膜晶体管 可见光波段吸收系数比晶Si高一个量级，用1μm厚的a-Si膜即可吸收90%能量。这是它成为低成本太阳能电池的最主要因素 态密度 扩展态和局域态 光照时，可产生多余的悬挂键缺陷，导致电学性质和光学性质改变 Staebler-Wronski效应 可通过与Ge, C, O, N等形成合金，调节能带结构 PECVD 电感耦合产生等离子体 电容耦合气体放电，产生等离子体 生长非晶Si薄膜的PECVD系统 薄膜沉积过程： (1) 初级反应：硅烷于等离子体中被电子撞击后产生离子及中性的基团 (2) 次级反应：初级反应的产物向生长表面输送及产物间再互相碰撞形成新的基团 (3) 表面反应：初级及次级产物于基板表面吸附 (4) 表面反应形成薄膜，并释放其它气体产物回等离子体中 (1) SiH3与Si-H作用，将Si-H键打断释放SiH4，形成硅悬键(Si-) (2) 硅悬键(Si-)吸收SiH3基团形成Si-SiH3* (3) 由Si-SiH3* 形成Si-Si-H及释放氢气 (4) SiH键与邻近Si-H联网形成稳定结构 SiH3基团寿命最长，是沉积a-Si:H薄膜的最主要基团 非晶硅电池结构：pin结构最常用 两种结构光都从p型一侧入射 空穴迁移率低，利于空穴收集 沉积次序不同 对衬底透明度要求不同 同质结与异质结电池 异质结：将p层换成宽带隙的a-SiC，提高短波区域的吸收效率 非晶Si叠层电池 单结 同带隙双结 异带隙双结 三结 室内产品（弱光性能好） 室外产品（大面积） 应用范围广 缺点：光照不稳定性 通过生长时氢稀释可减轻光照不稳定性 缺点：效率较低 a-Si材料的带隙较宽，实际可利用的主要光谱域是350-700nm， 相对较窄 a-Si太阳电池开路电压与预期值相差较大 迁移边存在高密度的带尾态，掺杂杂质离化形成的电子或空穴仅 有一定比例成为自由载流子，费米能级距带边较远； 材料多缺陷，载流子扩散长度很短，电荷收集主要靠内建电场驱 动下的漂移运动，输出电压较低 a-Si材料局域态密度较高，载流子复合几率较大，二极管理想因子通常大于2，与n=1的理想情况相差较大 a-Si太阳电池的p区和n区的电阻率较高，接触电阻较高，甚至存在界面势垒，带来附加的能量损失 克服非晶Si薄膜太阳电池性能的光致衰退 加强带有a-Si合金薄膜成分或者具有a-Si廉价特色的混合叠层电池的研究，结合自身优点与其它电池的优点 进行产业化新技术途径的开发，实现更大规模的太阳电池产业化 非晶硅发展方向 纳米线结构 纵向吸光 侧向收集 第十章 多晶硅、非晶硅太阳能电池 /s/1jIBugrc 10.1 多晶硅性质及优点 电池片形状：方形更合算，多晶硅通过浇铸可直接获得方形 多晶硅生产工艺不断取得进展 每生产周期（50小时）可长200公斤以上硅锭，晶粒达厘米量级 单晶硅工艺用于多晶硅太阳能电池生产，效率接近单晶电池 工业化角度，重心已由单晶向多晶发展 多晶硅电池 块状(bulk)电池 用含有大量单晶颗粒的集合体，或废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化 浇铸而成。电池工艺与单晶硅相似，但材料制备简便，成本较低 薄膜(thin film)电池 用CVD、溅射法等结合再晶化过程制备 成本低于单晶硅电池，效率高于非晶硅薄膜电池 太阳能级多晶硅料技术要求 多晶硅产业链两大分支 各环节成本比重 多晶硅性质 多晶硅与单晶硅差异主要表现在物理性质不同： 力、光、热学性质的各向异性远不如单晶硅明显 电学性质：导电性远不如单晶硅 化学性质：几乎无差异 优点：材料利用率高，能耗小，成本低，生长简便，易于大尺寸生长 缺点：晶界、位错等缺陷密度高，杂质浓度较高 10.2 铸造多晶硅制备方法 浇铸法 1975年Wacker公司首创 结晶时控制固液界面的温度梯度，保证固液界面在同一平面上 优点： 工艺成熟，简单 能耗低 缺点： 所用坩埚为石墨、石英 污染严重，杂质较多 需要翻转坩埚，炉产量较小 铸造多晶硅制备方法 定向凝固法 定向凝固法通常指的是在同一个坩埚中熔炼, 利用杂质元素在固相和液相中的分凝效应达到提纯的目的, 同时通过单向热流控制, 使坩埚中的熔体达到一定温度梯度, 从而获得沿生长方向