电荷耦合器件CCD图像传感器-魏宇童.ppt

电荷耦合器件(CCD)图像传感器 光信息81 魏 宇 童 09年10月6日，瑞典皇家科学院在首都斯德哥尔摩宣布，将当年诺贝尔物理学奖授予英国华裔科学家高锟，以及美国科学家威拉德·博伊尔和乔治·史密斯，以表彰他们在光导纤维和数字成像技术领域的突破性贡献。 1969年10月的一天下午，在贝尔实验室总部，两人在黑板上比划着，他们的想法是如何利用爱因斯坦提出的光电效应。他们发现，当光撞击到一块硅片时，它会敲除电子，光越明亮，被敲除掉的电子就越多。?当时贝尔实验室正在发展影像电话和半导体气泡式内存。博伊尔和史密斯将这两种新技术结合起来后得出一种装置，他们命名为“电荷‘气泡’元件”（Charge “Bubble” Devices）。这种装置的特性就是它能沿着一片半导体的表面传递电荷，两人便尝试用来做为记忆装置，随即发现光电效应能使此种元件表面产生电荷，而组成数位影像。 　　CCD图像传感器的发明，实际上是应用爱因斯坦有关光电效应理论的结果。但是从理论到实践，道路却并不平坦。科学家遇到的最大挑战，在于如何在很短的时间内，将每一个点上因为光照而产生改变的大量电信号采集并且辨别出来。 CCD的基本结构包括：转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。 构成CCD的基本单元是MOS电容。 一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导体衬底制成，衬底可以是P型或N型材料，上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极（栅极）。 * 电荷存储 以衬底为P型硅构成的MOS电容为例。 当在金属电极加上一个正阶梯电压时，在Si-SiO2界面处的电势发生变化，附近的P型硅中的多数载流子-空穴被排斥，形成耗尽层。如果栅极电压超过MOS晶体管的开启电压，则在Si-SiO2界面处形成深 度尽状态，电子在那里势能较低-形成了一个势阱。如有信号电子，将聚集在表面，实现电荷的存储。 * 光信号的注入 CCD的电荷注入方式有电信号注入和光信号注入两种，在光纤系统中， CCD接收的信号是由光纤传来的光信号，即采用光注入CCD。 当光照到CCD时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子-空穴对，在栅极电压的作用下，多数载流子（空穴）流入衬底，少数载流子（电子）被收集在势阱中，存储起来。这样能量高于半导体禁带的光子，可以用来建立正比于光强的存储电荷。 * 电荷检测 （输出） CCD输出结构是将CCD传输和处理的信号电荷变换为电流或电压输出。 电荷输出结构有多种形式，如电流输出结构、浮置扩散输出结构、浮置栅输出结构等。浮置栅输出结构应用最广。 1.体积小重量轻； 2.功耗小，工作电压低，抗冲击与震动，性能稳定，寿命长； 3.灵敏度高，噪声低，动态范围大； 4.响应速度快，有自扫描功能，图像畸变小，无残像； 5.应用超大规模集成电路工艺技术生产，像素集成度高，尺寸精确，商品化生产成本低。 　　CCD图像传感器除了大规模应用于数码相机外，还广泛应用于摄像机、扫描仪，以及工业领域等。此外，在医学中为诊断疾病或进行显微手术等而对人体内部进行的拍摄中，也大量应用了CCD图像传感器及相关设备。 　　 “无论是我们大海中深邃之地，还是宇宙中的遥远之处，它都能给我们带来水晶般清晰的影像。”