集成电路工艺基础第二章.pptx

第二章 集成电路工艺基础;主要内容;2.1 引言; 半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质。通过在纯净的半导体中加入少量的杂质，可以使其导电率在几个数量级范围内改变，控制掺杂浓度来控制半导体的导电性能，从而制成各种需要的器件。杂质元素的作用在于它们能为半导体提供带负电的自由电子或带正电的空穴。多子为自由电子的半导体称为N型半导体，多子为空穴的半导体称为P型半导体。两者有机结合，过渡区形成PN结，把PN结以某种方式排列并与其他物理结构组合，就可以得到不同的半导体器件。; 集成电路有各种各样的封装，如双列、单列、圆形、扁平封装等，封装材料一般有：陶瓷、玻璃、金属等。虽然不同器件的芯片，但它们都是由在半导体材料上形成的一些PN结所构成的。因此，集成电路的关键问题就是根据设计要求，在半导体的不同区域形成所需要的PN结，这在生产上主要通过氧化、光刻、掺杂等多种工艺的多次反复来形成。;2.1.2 IC制造过程;;IC制造工艺过程;;2.1.3 工艺类型 ;2.2 集成电路制造工艺概述;2.2.1 氧化工艺 ; 作为器件表面的保护膜：在硅表面覆盖一层SiO2薄膜可以使硅免受后续工序可能带来的污染及划伤，也消除了环境对硅表面的直接影响，提高了半导体的可靠性和稳定性 作为绝缘介质和隔离介质：在硅表面覆盖一层SiO2薄膜可以使硅免受后续工序可能带来的污染及划伤，也消除了环境对硅表面的直接影响，提高了半导体的可靠性和稳定性。 作为集成电路中电容器元件的介质：SiO2是很好的电容介质材料，以它为电容介质，可以很方便的构成电容。但因集成电路中电容占用芯片面积太大，所以设计中尽量避免采用大电容。; 2、热氧化原理及实现方法 ;根据氧化环境的不同又可把热氧化分为干氧法和湿氧法两种。如果氧化环境是纯氧气，这种生成SiO2薄膜的方法就称为干氧法。;如果让氧气先通过95℃的去离子水，携带一部分水汽进入氧化炉，则氧化环境就是氧气加水汽，这种生成SiO2的薄膜的方法就是湿氧法。其机理分别如下： Si+O2=SiO2 ( 2-1 ) 干氧法 Si+O2=SiO2 Si+2H2O=SiO2+2H2 ( 2-2 ) 湿氧法;;化学气相沉积是使一种或数种化学气体以某种方式激活后在衬底表面发生化学反应，从而在衬底表面生成所需的固体薄膜的方法。种类有常压、低压、等离子体、光致化学气相沉积等几种。 SiH4+2O2 SiO2 + 2H2O ( 2-4 );2.2.2 掺杂工艺 ;扩散机理：替位扩散和填隙扩散。替位扩散就是杂质原子代替离开原来位置的单晶原子。而填隙扩散是杂质原子从一处移动到另一处，并不占据晶格位置。 1）扩散方程 一维情况下，杂质扩散由式（2-5）描述： ;式（2-5）表明单位面积、单位时间杂质的传输速率，与杂质的浓度梯度成正比，比例常数就是扩散系数，它反映了扩散速度的快慢。扩散系数与温度的关系很大，生产中一般在1000～2000℃的高温下进行的。在一定的扩散条件下（包括温度）、杂质浓度不高的地方可认为扩散常数是常数。公式中的负号表明杂质是由浓度高的地方向浓度低的地方扩散的。 根据质量守衡定律，杂质浓度随时间的变化要与扩散通量随位置的变化相等。即 ;式（2-7）即为扩散方程。扩散方程描述了在杂质的扩散过程中，硅片中各点处杂质浓度与时间的关系。当扩散时间一定时，杂质的分布就定下来了，这个分布可由求解扩散方程而得到。这样，在杂质的分布达到要求时迅速将温度降至室温，这时扩散系数很小，可认为扩散已经停止，则高温时形成的结果被固定下来，这就是扩散的基本原理。; 2） 两种表面源的扩散分布 ;其中， 是余误差函数，其值可由余误差函数积分表查出。;（2）有限表面源的扩散分布。扩散的杂质在扩散开始前已积累在硅表面上一薄层内（ ），且杂质总量Q一定。扩散过程中不再有外来杂质的补充，即在硅片表面（ =0处）杂质流密度 也就是说，对于有限表面源扩散，有如下的边界条件和初始条件： 边界条件： 初始条件： 扩散方程的解： ;图2-3是根据式（2-9）得到的与三个不同的扩散时间相对应的硅片内杂质浓度的分布曲线。可以看出，随着扩散时间的增加，杂质进入硅片内部的深度在增加，而硅片表面杂质的浓度却在下降。;扩散过程：先向炉内通氧气，使表面