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多量子阱垒结构优化提高GaN基LED发光效率探究 摘要：为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发 光效率的问题，以k.p理论为基础建立多量子阱模型，分析 研究了 GaN基LED中不同的InGaN/InGaN多量子阱发光层势 垒结构。基于化合物半导体器件的电学、光学和热学属性的 有限元分析，设计与优化多量子阱中靠近P型AlGaN电子阻 档层倒数第二层势垒，显著提髙了光输出功率，减少漏电流. 数值模拟分析表明，改良多量子阱势垒能够大幅提高高亮 度、高功率器件结构光电特性。 关键词：GaN基LED多量子阱InGaN垒结构 中图分类号:0471文献标识码：A文章编号：1674-098X (2013) 03 (c) -000-04 以氮化铢(GaN)为代表的III-V族氮化物材料在近十年 来得到广泛研究，发展及应用。GaN基高效发光二极管具有 寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏 幕彩色显示、汽车照明和交通信号、多媒体显示、光通讯等 领域?但是，实验研究表明GaN基半导体发光二极管的发光 效率会受一些因素影响，其中包括由极化效应引起的漏电流 [1-2],俄歇复合[3],较高结温[4],较低的空穴注入效率 [5-6]等等。 这些问题均已经严重制约了 GaN基半导体发光二极管作 为高亮度、高功率器件在照明领域的商业应用，因而受到了 全世界GaN基半导体发光二极管研究者和制造者得广泛关 注，大量的资金投入到研究和改善工作中。 III族氮化物较大的自发极化常数和压电极化常数可导 致很强的自发极化电场和压电极化电场。极化效应使 InGaN/GaN多量子阱结构的带边由方形势变成三角形势，并 使电子和空穴的分布产生空间分离从而减小发光效率。 Shim［7］等研究了不同形状的量子阱的发光效率，发现 梯形阱比方形阱和三角阱的发光效率要高，重现性要好.而 针对In组分梯度变化的量子阱结构的研究还是比较少，实 验上也不多。对此，该文做了一些相关计算模拟用来说明该 结构的显著效果。 该文以k.p理论为基础，结合多能带底有效质量修正， 根据量子阱的多体增益和自发发射模型，表面电荷自发极化 作用的自洽量子约束和运输模型，建立了多量子阱结构，保 持了非有源区结构参数不变，通过设计与优化多量子阱中不 同势垒层，分析对比相应的光输出功率图谱，提出了一种高 效的量子阱结构，并对该结构进行分析研究。 1结构与参数优化 1. 1 LED外延结构模型 依据压电理论［8］基础，利用有限元分析方法，以漂移- 扩散模型和电流连续方程［9］为基础，通过自洽求解泊松方 程建立如下外延结构模块［10］包括3 um的n-GaN层（n型掺 杂浓度为）；有源层由6层10 nm的势垒与5层4nm相间组 成；20 nm的p-电子阻挡层（p型掺杂浓度为）;15 nm的p- 层（p型掺杂浓度为）。该装置的几何模型为300 umX300 P m 的正方形，结构如图1所示。 其中、、分别为AIN、GaN、InN的压电极化参数。LED装 置的内吸收设定为500 m-1,操作温度设定为300 K。为了 简化仿真，光的提取效率设定为0.78。其他半导体材料的参 数设定参照参考文献［13］。 2.2量子阱势垒参数对比优化 根据上述的外延结构对有源层的6层lOnm势垒分别进 行优化处理，方法为以2nm-/2nm-/2nm-/2nm-/2nm-结构的势 垒（其中x值沿外延生长方向逐渐增加）替代原来10 nm的 结构的势垒，如图2所示。 图中x表示InGaN中In的含量。按照图2所示方式对6 层势垒结构分别进行优化，发现最靠近P型AlGaN电子阻挡 层的倒数一二层势垒对光输出功率有增强作用，其余势垒结 构对其影响不大甚至有减弱作用。该仿真结果与实验结果： III族氮化物多量子阱结构的发光主要来源于靠近P区的量子 阱相符合。因此采取对比排除法，依据只优化倒数一二层与 不优化倒数一二层思路，设置了只优化倒数第一层势垒，只 优化倒数第二层势垒，共同优化倒数第一二层势垒以及不优 化倒数一层，不优化倒数二层，倒数一二层均不优化这六组, 最后再设置一组全部优化的对照组⑦。具体优化步骤如下表 1所示。 表中只是显示出6层势垒结构，而忽略5层阱结构。上 表中倒一层表示最靠近P型AlGaN电子阻挡层的势垒，其余 行意义依次类推可知.V处表示对势垒层进行了如图2所示 的优化处理，而空白处表示未做任何处理。根据上表对应的 外延结构 进行仿真，对比分析不同组的光输出功率图得 出一种最优的量子阱结构模型。 2结果与讨论 2.1优化量子阱的仿真结果 按照第2部分的表1进行仿真，得到8组光输出功率图 谱（L-I曲线）。根据光输出功率优于基准与劣于基准，将该 8组进行分组对照绘制，分组如下表2所示。 根据图3与图4的仿真结果可知，组一