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塞曼效应实验数据处理方法的改进
第28卷第4期
2008年4月
物理实验
PHYSICSEXPERIMENTATION
Vol.28No.4
Apr.,2008
塞曼效应实验数据处理方法的改进
吴金莲,张晓晔
(中国石油大学物理科学与技术学院,山东东营257061)
摘要:汞原子的谱线系包括单层和三层结构,不仅二者在磁场中的塞曼分裂存在差 异,而且对于三层结构的线系,
其塞曼分裂也比较丰富,在垂直于磁场方向观察,随偏振片角度不同,可以依次观 察到线及yr线2种成分,但实验室用
的塞曼效应仪所附带的数据处理程序只适用于三层结构线系,利用yr线实现比荷 测量?为了扩展仪器的适用范围,在分
析汞光谱塞曼分裂波数差的基础上,对比荷公式进行了修改,并编写了相应的处理 程序,实际应用效果较好.
关键词:塞曼效应;比荷;数据处理
中图分类号:0562.32文献标识码:A文章编号1005—4642(2008)04—0039—02
1引言
在塞曼效应实验中,广泛使用的光源是汞灯.
汞有2个价电子,其能谱有单层和3层2种结构.
对于单层结构,塞曼分裂形成的相邻谱线波数差
为1个洛伦兹单位;对于3层结构,塞曼分裂形成
的相邻谱线波数差为_去_个洛伦兹单位?在垂直磁厶 场的方向,偏振片处于不同的位置,观察到的谱线 并不相同.偏振片同磁场平行时,可以清楚地观
1
察到3条开线,相邻谱线波数差是寺个洛伦兹单厶 位.而当偏振片同磁场方向垂直时,可以观察到6 条线,其中适合测量,强度最大的2条谱线问的 波数差是2个洛伦兹单位?据此修改塞曼效应数 据处理程序中的比荷公式,用VB编写相应程序, 就可以得到适用范围更广的数据处理软件.
2塞曼效应实验分析
光源在外磁场作用下将发生塞曼分裂.当外
磁场大小为B时,分裂后谱线与原谱线的频率差 为
Av=(M2g2 — Mlgl),(l)
式中Ml,M2与g,g是不同能级的磁量子数和 朗徳因子,是白旋磁矩,h是普朗克常量.相邻 谱线的裂距(即波数差)为
Av —(M2g2 — Mlg 1),(2)
-I)
其中一一是洛伦兹单位?实验室条件下,汞71,,” 灯置于外磁场中.通过滤波片,F-P标准具将单 色光的干涉图样成像到摄像机焦平面上,干涉图 样是1组同心圆?F—P标准具的间隔圈厚度是d, 此时裂距的测量公式可具体表示为L2
△ 一
1(D; — D:)
2(D 一 D)r(3)
式中D 一Q是相同波长的相邻k 一 l,k级圆环 的直径,D,D?是分裂后两波长对应的第k级圆
环的直径比较⑵?⑶式可以得到比荷计算公
式为
2(D; — D)
dB(M2g2 一 Mlgl)(D 一 1 一 D)(4)
式中,f是光速,令a=M2g-Mlg,(4)式可写成
27rc(D;一 D)
dBa(D —D1)1 (5)
汞灯546.074nni谱线,是从6s7s.S向
6s6p.P跃迁产生,属于3层结构L3].态.S的
Mg — {2,0- 2},态.P2 的 Mg 一
/I
{3,昔,0,—号,一 3},按照跃迁规则:AM=0,±ll厶厶1
(AJ 一 0 U寸,AM二0被禁止,J为总角动量)?于是
分裂后谱线同原谱线的裂距为:M2g — Mlg 一
收稿 H 期:2007—07-08;修改 H 期:2007-09 ?07
作者简介:吴金莲(1985 一),女,浙江丽水人,中国石油大学物理科学与技术学院应
用物理专业2004级学生
40物理实验第28卷
{2,昔,1,寺,0,—寺,一 1,一昔,一 2}?根据分裂1厶厶1
谱线的偏振性,可以分别选取7U线和线进行测
量?把偏振片旋转到与磁场平行的方向可以滤去
线而对7t”线进行测量,此吋谱线为3条,相邻谱
(1
线裂距是一鲁,对应a 一一.同理,若把偏振片厶厶
旋到与磁场垂直,可以滤去开线而得到线.线
为6条,其屮适于测量,强度最大的2条谱线裂距
为2S.为了在处理图像时采用与7t”线相同的形
式,可略微调整偏振片,使7t”线也出现,由于7「线
的中央谱线强度较高,可与上述2条谱线构成
1组,此时”相邻”谱线的裂距为Av—,对应
a — 1.
汞灯579.064nm谱线,是从6s7sS.向
6s6dD跃迁产生.态S.的Mg 一 0;态D的 Mg二{2,1,0, — 1,一 2}.由跃迁规则可以得到分 裂后各谱线裂距Mzg. — Mlg 一{2丄0, — 1,
2}.相邻谱线裂距Av==,此时⑸式中a- 1. 其他的谱线只要知道裂距,a将换成相应的 值就可以计算比荷.
3程序及计算实例
程序用VB编写,利用仪器附带程序对采集 到的图像做进一步处理?使用时,首先要求输入 磁感应强度,分裂谱线波数差等数据,以扩展程序 的应用范围.考虑到比荷计算中误差的一个主要 來源是采点时的误差,所以在
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