1纳米电子学-绪论1.ppt

第一章 绪论 1.1 引言 纳米电子学是历史的必然 --45纳米的Penryn ?2008年上半年，Intel有三座300mm工厂生产45nm处理器。45nm Penryn移动版TDP 35W，桌面版TDP 65W，服务器版TDP 80W。 Intel 45nm Penryn处理器集成了4亿1000万晶体管, Penryn的芯片尺寸在110平方毫米左右 TDP: Thermal Design Power, a power dissipation target based on worst-case applications. Thermal solutions should be designed to dissipate the thermal design power. 第一章 绪论 1.1 引言 纳米电子学是历史的必然 --纳米尺度器件 90nm、65nm、45nm、…MOSFET相继问世，经典IC的特征尺度已经达到亚100纳米的尺度范围。 ?右图为纳米尺度MOSFET 第一章 绪论 第一章 绪论 1.1 引言 纳米电子学是历史的必然 --Intel发展趋势 第一章 绪论 1.1 引言 纳米电子学是历史的必然 --三星闪存 第一章 绪论 讨论题 ?1.何为纳米科技？介绍其主要领域和分支。 ?2.说明电子学发展历史及当前现状。 ?3.为什么说纳米电子学是电子学发展的必然趋势？ 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--困难和态度 MOS器件进入纳米尺度遇到： –物理问题 –技术上的困难 如何面对技术发展： –克服困难、解决问题，维持IC进一步小型化——了解问题和困难的实质，研究解决方案——经典纳米电子学的核心问题 –应对即将到来的经典电子学的极限—问题和困难最终会终结经典电子学的寿命—为下一代电子学作技术准备—量子纳米电子学 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--物理效应 –量子效应 ?量子化效应 ?隧穿效应 ?干涉效应 –介观效应 ?弹道输运 ?电导涨落 ?单电子现象 ?散粒噪声 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--量子化效应 (a) 势阱和量子化能级 (b) 经典与量子力学电荷密度对比 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--隧穿效应 (a)热发射 FN隧穿 直接隧穿 束缚态隧穿 带－带隧穿 (b)漏电流功耗占总功耗的比例变大 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--弹道输运 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--电导涨落 J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--We also face a physics problem 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--技术困难 * * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoni