高功率脉冲音磁控溅射技术制备ti-cu薄膜及血小板粘附行为.docxVIP

国内图书分类号：TGl74 国内图书分类号：TGl74 密级：公开 国际图书分类号： ．西南交通大学 研究生学位论文 年 级 三Q二三级 姓 名 台运塞 申请学位级别 工程亟± 专 业 挝料王猩 指导老师 量凰妲副塾拯 二零一五年五月一令一丑，平血月 万方数据 Classified Classified Index： lUlII IIIIllll 111 IlUlIlllllllll IIIl Y281 481 6 U．D．C： Southwest Jiaotong University Master Degree Thesis BLOOD PLATELET ADHESION BEHAⅥOUR OF TI．CU FILMS SYNTHESIZED BY HIGH．POWER PULSED MAGNETRON S PUTTERING Grade：2012 Candidate：Taiyundong Academic Degree Applied for：Master of Engineering Speciality：Material engineering Supervisor：Jingfengjuan May．2015 万方数据 西南交通大学 西南交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并 向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授 权西南交通大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用 影印、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于 1．保密口，在 年解密后适用本授权书； 2．不保酬使用本授权书。 (请在以上方框内打“寸，) 学位论文作者签名： 勿边首． 副拗 签 舻 为1 日期：训}．萝．“ a毒妙 歹 日瑚jy口目 万方数据 西南通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： 西南通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明 本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： 1、采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)带iJ备了Ti．Cu薄膜，分析采用HPPMS技术 制备Ti．Cu薄膜时的电学特性、等离子体状态，研究不同电压和含铜量的靶材制备Ti．Cu 薄膜的沉积速率、表面形貌、成分与结构、薄膜表面润湿性，并采用DCMS制备了Ti．Cu 薄膜进行比较。 2、对HPPMS和DCMS制备的Ti．Cu薄膜进行了进行浸泡释放和电化学腐蚀实验、 NO供体催化释放实验和血小板粘附实验，研究了Ti．Cu薄膜的铜离子释放性能、催化 供体(SNAP)释放NO的能力，评价Ti．Cu薄膜的血小板黏附行为。 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是在导师指导下独立进行研究工作所得的成果。 除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰写过的 研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中作了明确说明。本人完全 了解违反上述声明所引起的一切法律责任将由本人承担。 学位论文作者签名：匀远东 日期：厶m歹．％． 万方数据 西南交通大学硕士研究生学位论文 西南交通大学硕士研究生学位论文 第J页 摘 要 Cu2+能够有效促进血管内皮细胞NO的局部释放，抑制血小板的激活与聚集，改善 抗凝血性能。钛具有良好的生物相容性，在生物医学界已经有很长时间的应用和研究历 史。利用高功率脉冲磁控溅射技术具有高的离化率特点，可以制备致密的Ti．Cu薄膜， 通过调节高能脉冲磁控溅射的工艺参数等，控制薄膜中Cu的含量、组成和结构研究Cu2+ 离子的释放。目前对Ti．Cu薄膜的研究主要集中在抗菌方面，利用高功率脉冲磁控溅射 技术制备Ti．Cu薄膜，通过研究薄膜沉积特性、成分结构以及薄膜血液相容性并应用于 ／ 心血管方面的发章较少。因此我们提出用高功率脉冲磁控溅射制备Ti．Cu薄膜，通过工 } 艺参数的调整，调控Ti．cu薄膜中cu含量、组成和结构，研究Ti．cu薄膜血液相容性。 采用高功率脉冲磁控溅射技术在不同的电压下分别溅射含铜量不同的TiCu靶材沉 积一系列Ti．Cu薄膜，分析HPPMS沉积Ti．Cu薄膜时的电学特性和放电等离子体的构 成；研究电源电压和靶材中Cu含量变化对Ti-Cu薄膜的沉积速率、表面形貌、润湿性 和成分结构的影响，并采用DCMS制备Ti．Cu薄膜进行对比。研究结果表明：采用HPPMS 制备Ti．Cu薄膜时，靶材峰值电流和峰值离子流的大小随电源电压的增加而增加；沉积 Ti．Cu薄膜时的放电等离子体中存在Ti、Ti2+、Cu、Cu+、Ar+。靶上的电压增大，等离 子体发射光谱线的强度和数目增大，靶材中Cu含量增加时，Cu、Cu+的等离子光谱线 的强度增强。Ti．Cu薄