第1章绪论+第3章二极管.pptVIP

PN结最高温度限制： 当温度升高到一定程度，本征激发产生的少子浓度可能达到或超过掺杂（多子）浓度，杂质半导体变得和本征半导体一样，PN结消失。 硅( Si ) ：约为（150～200℃） 锗( Ge) ：约为（75～100℃） 2. 击穿特性 雪崩击穿：正温特性； 齐纳击穿：负温特性； 两者都有：有可能获得零温特性。 3. 电容特性 电容量随温度变化。 3.3 半导体二极管(Diode) 图片 3.3.1 半导体二极管的结构 (1) 点接触型 二极管= PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型。 PN结面积很小，极间电容很小。 适用于高频、小电流。 三价元素 瞬时正向 大电流熔接 (3) 平面型 (2) 面接触型 符 号 电路符号（电气图用） 阳极(Anode) 阴极(Cathode) 理想二极管符号 ∕旧的电路符号 PN结面积大，极间电容大。 适合整流，不适合高频。 集成电路中 3.3.2 二极管的V-I特性 1. 正向特性 门坎电压(死区电压)：室温下 硅管Vth＝(0.5~0.6)V 锗管Vth ＝(0.1~0.2)V 导通电压VD(on) ： 硅管0.7V；锗管0.2V 。 Vth (th_threshold) 非线性 器件！ 单向导电性(主要的) 导通后的非线性 2. 反向特性 反向饱和电流： 硅管： 0.1μA 锗管： 几十μA 反向电流随温度升高 明显增加 3. 反向击穿特性 3.3.3 二极管的主要参数 1. IF——最大整流电流 2. VBR——反向击穿电压 最高反向工作电压一般约为击穿电压的一半。 长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。 3. IR(IS)—— 反向饱和电流 值越小，说明管子的单向导电性越好。其受温度影响明显。 4. Cd __ 极间电容 电压变化，电荷变化（充放电）。 包括势垒电容CB 、扩散电容CD。 5. TRR __ 反向恢复时间 外加电压从正偏变为反偏时，二极管中电流由正向翻转为反向电流，至反向电流减为很小的时间。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析法 电路组成：二极管、电阻、电压源。 分析方法：图解法、模型法(等效电路法)。 图示电路可分为A、B两部分； A部分的电压与电流关系： vD=VDD - iDR B部分的电压与电流关系就是二极管 的伏安特性。 图解法 vD iD VDD 求vD，iD。 3.0 半导体器件的种类及发展 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.0 半导体器件的种类及发展 １、种类： 二极管、三极管、场效应管、 集成电路（ Integrated Circuit ，IC） ２、发展： 电子器件的更新换代推动电子技术的发展，其中 电子学发展史上三个重要里程碑： 1)1906年电子管发明（进入电子时代） 2)1948年晶体管问世（半导体器件） 3)60年代集成电路出现(进入信息时代) 1) 第一代电子器件——电子管 1906年，福雷斯特（Lee De Fordst）等发明，可实现整 流、稳压、检波、放大、振荡等多种功能电路。电子管体积 大、重量重、寿命短、耗电大。 ENIAC：Electronic Numerical Integrator and Calculator 电子数字积分器和计算器 1946年由美国生产的世界上第一台计算机“埃尼阿克” （ENIAC）用了1.8万只电子管，占地170m2，重30t，耗电 150kW。 2) 第二代电子器件——晶体管（半导体三极管） 1948年，肖克利（W. Shckly）等发明，在体积、重量等方面性能优于电子管。 但是，由成百上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多，可靠性差。 3) 第三代电子器件——集成电路 1958年，基尔白等设想将管子、元件和线路集成封装在一起，三年后集成电路实现了商品化。IC按集成度分: