半导体光电特性的表面光电压谱表征.doc

第 21 卷 第 2 期2004 年 6 月河 北 建 筑 科 技 第 21 卷 第 2 期 2004 年 6 月 河 北 建 筑 科 技 学 院 学 报 Journal of Hebei Institute of Architectural Science and Technology Vol121 No12 J un12004 文章编号 :1007 - 6743 (2004) 02 - 0090 - 04 半导体光电特性的表面光电压谱表征 王华英1 ,朱海丰2 ,何杰2 ,李丽宏1 (1. 河北工程学院 数理系 , 河北 邯郸 056038 ;2. 河北大学 , 河北 保定 071002) 摘要 :根据半导体能带结构 ,利用静电平衡条件及电荷守衡定律 ,详细讨论了半导体表面光电压 的产生原理 、测量方法 ,给出了单晶硅的表面光电压谱 ,并由此得出了单晶硅的带隙能量 。 关键词 :半导体 ;表面光电压 ;表面光电压谱 ;单晶硅 中图分类号 : O484 . 1 文献标识码 :A 表面光电压是固体表面的光生伏特效应 ,是光致电子跃迁的结果 。早在 1876 年 ,W. G. Adams 就发现 了这一现象1 - 3 ,然而直到 1948 年才将这一效应作为光谱检测技术应用于半导体材料的特征参数和表面 特性研究上 ,这种光谱技术称为表面光电压技术 ( Surface Photovoltaic Technique) 或表面光电压谱 ( Surfac Photovoltage Spectroscopy ,简称 SPS) 。表面光电压技术是一种研究半导体特征参数的极佳途径 ,这种方法是 通过对材料光致表面电压的改变进行分析来获得相关信息的 。1970 年 ,表面光伏研究获得重大突破 ,美 国麻省理工学院 Gates 教授领导的研究小组在用低于禁带宽度能量的光照射 CdS 表面时 ,历史性的第一 次获得入射光波长与表面光电压的谱图 ,以此来确定表面态的能级 ,从而形成了表面光电压谱这一新的 研究测试手段4 - 7 。 SPV 技术是基于检测由入射光诱导的表面电荷的变化 ,因此是一种快速的 、非破坏性的高灵敏度测试 方法 ,其灵敏度高于 XPS 和 Auger 电子能谱几个量级 ,而使 SPV 技术得到了广泛的应用 ,尤其是近年来随 着激光光源的应用 、微弱信号检测水平的提高和计算机技术的进展 ,SPV 技术应用的范围得到了很大的扩 展6 ,被用于诸如吸附 、光催化等领域 。 1 表面光电压的产生原理 当两 个 具 有 不 同 功 函 数 的 材料接触时 ,由于它们的化学势 不同 ,在界面附近会发生相互作 用 ,电子会从费米能级高的物体 向费 米 能 级 低 的 物 体 转 移 。N 型半导体的费 米 能 级 比 金 属 的 费 米 能 级 高 , 因 此 当 二 者 接 触 时 , 半 导 体 中 的 电 子 向 金 属 运 动 ,直至达到平衡状态 , 从 而 在 半导体表面形成电子耗尽层 ,使 得表面能带向上弯曲1 。相反 , P 型 半 导 体 的 费 米 能 级 比 金 属 的费米能级低 , 当二者接 触 时 , 金属中的电子向半导体运动 ,半导体表面形成空穴耗尽层 ,使得表面能带向下弯曲 。能带弯曲意味着在 半导体的表面出现了势垒 VS ,如图 1 所示 。 收稿日期 :2003 - 11 - 11 基金项目 :河北省自然科学基金 (500084) 特约专稿 作者简介 :王华英 (1963 - ) ,女 ,河北涉县人 ,副教授 ,从事光信息与光电子学研究 。 对于半导体的自由表面来说 ,周期结构的终止 对于半导体的自由表面来说 ,周期结构的终止 ,使表面上形成了定域电子态能级 ,这些能级位于半导 体带隙之中 ,常称为“本征表面态”。另外 ,由于表面吸附或表面杂质 ,使半导体出现了“非本征表面态”。 表面态的出现导致了表面与体内电荷的转移 ,从而在表面形成了非中性区 ,称为空间电荷区 ( SCR) ,产生 内建电场 ,形成表面势 VS ,造成表面能带弯曲 。图 2 给出了半导体表面空间电荷区以及能带弯曲示意图 。 根据电荷守恒定律 ,表面净电荷量 QSS应等于空间电荷区的净电荷量 QSC 。由于表面势垒 VS 的大小 主要取决于 QSS或 QSC ,它们在光的照射下可能会发生显著的变化 ,从而引起表面势垒的变化 ,而在无光照 和有光照射下表面势垒的变化量 △VS 即表面光电压 。在大于或等于禁带宽度 Eg 的光照射下 ,发生价带 到导带的跃迁 ,在近表面产生电子 —空穴对 (称为光生载流