离子注入讲义课件.ppt

6、均匀性和重复性好； 7、横向扩展小，有利于提高集成电路的集成度、提高器件和集成电路的工作频率； 8、可以用电的方法来控制离子束，因而易于实现自动控制，同时也易于实现无掩模的聚焦离子束技术； 9、扩大了杂质的选择范围； 10、离子注入中通过质量分析器选出单一的杂质离子，保证了掺杂的纯度。 离子注入的 缺点 1、离子注入将在靶中产生大量晶格缺陷； 2、离子注入难以获得很深的结深； 3、离子注入的生产效率比扩散工艺低； 3、离子注入系统复杂昂贵。 thanks 热退火 晶格原子 杂质原子 热退火 晶格原子 杂质原子 热退火 晶格原子 杂质原子 热退火 晶格原子 杂质原子 退火前后的比较 退火前 退火后 快速热退火 (RTA) 高温下, 退火超越扩散 RTA (RTP) 广泛用于注入后退火 RTA 很快 (小于1分钟), 更好的片间（WTW）均匀性, 最小化杂质扩散 RTA和炉退火 RTP退火 炉退火 问题 高温炉的温度为什么不能象RTA系统那样快速升温和降温？ 答案 高温炉有很大的热容积，需要很高的加热功率去获得快速升温。很难避免快速升温时大的温度摆动（温度过冲和下冲） 7.6注入工艺 粒子束路径 离子注入: Plasma Flooding System ? 离子引起晶圆表面充电 ? 晶圆表面充电引起非均匀掺杂和弧形缺陷 ? 电子注入离子束中，中和晶圆表面电荷 ? 热钨灯丝发射的热电子产生Ar等离子体（Ar+和电子） 7.7晶圆表面充电 注入离子使晶圆表面带正电 排斥正离子，引起离子束弯曲，造成不均匀杂质分布 电弧放电引起晶圆表面损伤 使栅氧化层击穿，降低工艺成品率 需要消除和减弱充电效应 充电效应 离子轨道 电荷中和系统 需要提供电子中和正离子； Plasma flooding system 电子枪 电子喷头 Plasma Flooding System Wafer Handling Ion beam diameter: ~25 mm (~1”), Wafer diameter: 200 mm (8”) or larger Needs to move beam or wafer, or both, to scan ion beam across the whole wafer – Spin wheel – Spin disk – Single wafer scan Spin Wheel Spin Disk Single Wafer Scanning System Ion Implantation: End Analyzer Faraday charge detector Used to calibrate beam current, energy and profile Ion Implantation: The Process CMOS applications CMOS ion implantation requirements Implantation process evaluations Implantation Process: Well Implantation Implantation Process: VT Adjust Implantation Low Energy , Low Current Lightly Doped Drain (LDD) Implantation Low energy (10 keV), low current (1013/cm2) Implantation Process: S/D Implantation Low energy (20 keV), high current (1015/cm2) Ion Implantation Processes CMOS on SOI Substrate Oxygen Ion Implantation High Temperature Annealing 7.10 小结 本章首先描述了离子注入系统的组成部分，特别是对各种离子源和质量分析系统作了较详细的介绍。离子注入后的杂质浓度分布为高斯函数分布。讨论了离子注入的沟道效应及防止措施。离子注入后必须进行退火处理，目的是激活杂质和消除注入损伤。通过高剂量的氧离子注入，可以形成绝缘埋层。 下面总结一下离子注入的优缺点。 1、可控性好，离子注入能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，因而适于制作极低的浓度和很浅的结深； 2、可以获得