液晶显示器件LCD讲义.ppt

用TN-LCD制作的常用液晶显示器件 1971年瑞士人发明了扭曲向列型(TN)液晶显示器,日本厂家使TN-LCD技术逐步成熟，又因制造成本和价格低廉，使其在七八十年代得以大量生产，从而成为主流产品。在1979 年～1984年间，其产量年均增长38%,成本年递减18%，销售额年增长12%，这使LCD在显示器件领域的地位仅次于CRT。LCD的高速发展引起了世界电子业界的极大关注,对LCD技术研究投入的力量和资金与日俱增。 TN-LCD的信息容量小，只能用于笔段式数字显示及低路数（16线以下）驱动的简单字符显示。 3.5、超扭曲向列液晶显示器件（STN-LCD）（1985～1990年） 第三代液晶显示器件。顾名思义，“超扭曲”即扭曲角大于90°。 TN型液晶显示器件缺点： 电光响应前沿不够陡峭， 反应速度慢， 阈值效应不明显。 使得大量显示和视频显示等受到了限制。 图3.5 TN-LCD响应速度 80年代初，人们经过理论分析和实验发现，只要将分子的扭曲角增加到180°~270°时，就可大大提高电光特性的响应速度。 随着扭曲角的增大，曲线的斜率增加，当扭角达到270°时，斜率达到无究大。 曲线斜率的提高可以允许多路驱动，且可获得敏锐的锐度和宽的视角。 图3.6 STN-LCD中中间层分子的倾斜角与约化电压的关系 1985年～1990年,LCD销售额年均增长率达32%。此阶段发展最快的是STN-LCD,它从发明到批量生产仅用了五年时间。 由于STN-LCD具有扫描线多、视角较宽、对比度好等特点 ,很快在大信息容量显示的膝上型、笔记本型、掌上型微机及中英文打字机、图形处理机、电子翻译机及其它办公和通信设备（手机）中获得广泛应用,并成为该时代的主流产品。 1990年销售额15亿美元,占整个LCD市场的83%。 3.6、有源矩阵液晶显示器件（AM-LCD） 属于第4代液晶显示器。 普通简单矩阵液晶显示器TN型及STN型的电光特性，对多路、视频运动图像的显示很难满足要求。 有所谓的“交叉效应”。由于每个像素相当于一个电容，必产生串扰。当一个像素被先通时，相邻行，列像素将处于半选通状态。 人们在第一个像素上设计一个非线性的有源器件，使每个像素可以被独立驱动，克服了“交叉效应”。 图3.3 MIM液晶显示器件的电极排布 有源矩阵液晶显示采用了像质最优的扭曲向列型液晶显示材料。有源矩阵液晶显示根据有源器件的种类分为二端型和三端型两种。 二端型以MIM（金属-绝缘体-金属）二极管阵列为主； 三端型以薄膜晶体管（TFT）为主。 （1）MIM 在两种导电膜之间夹一层氧化物绝缘层，其结构为Ta-Ta2O3-Cr，通电后两导电膜之间电压-电流必呈非线性，二端有源器件相当于一个双向性二极管，正、反向都具有开关特性。 由于MIM面积相对于液晶单元面积小得多，故其等效电容CMIMCLC。其等效电阻RMIM是非线性的。 图3.4 MIM液晶显示器件等效电路 当扫描电压和信号电压同时作用于像素单元时，MIM器件处于断态，RMIM很大，且CMIMCLC，电压主要降在CMIM上； 当此电压大于MIM器件的阈值电压时，MIM进入导通状态，RMIM迅速减小，通态电流对CLC充电； 当充电电压均方值Vrms达到液晶的阈值电压Vth时，液晶单元显示。 当扫描移到下一行时，原单元上的外加电压消失，MIM转为开路，CLC通过RLC缓慢放电，以致于可以在一帧时间内维持Vrms≥Vth，于是该单元不仅在寻址期内，而且在一帧时间之内保持显示状态，解决了简单矩阵液晶显示器随着占空比下降其对比度亦下降的弊病。 （2）α-SiTFT 属于非晶硅-薄膜晶体管类型的三端有源矩阵液晶显示器件。 它工艺简单， 玻璃基板成本低， 导通比大， 可靠性高， 容易大面积化。 图3.5 TFT有源矩阵驱动LCD的基本结构 1-显示电极；2-玻璃基板；3-透明电极；4-液晶层； 5-MOSFET阵列；6-基板；7-信号存储电容器；8-FET 同一般液晶显示器类似，两片玻璃板之间封入普通TN型液晶， 不同的是在玻璃基板上要放置扫描线和寻址线（行、列线），在交点上再制作上TFT有源器件和像素电极。上玻璃板是一共用电极，如果是彩色显示，则还要在上面用微细加工方式（染色法，或印刷法）制作上与下面矩阵对应的R、G、B滤色膜。TFT的栅极G接扫描电压主，漏极D接信号电压，源极S接ITO像素电极，与液晶像素串联，液晶像素可以等效成一个电阻RLC和一电容CLC的并联。 图3.6 TFT有源矩阵显示器件像素等效电路及驱动波形 CGP-分布电容；CST-补偿电容；RON-导通电阻；ROFF-截止电阻 当扫描脉冲加到栅极G时，使D-S