第十一章金属淀积.ppt

优点： (1) 薄膜的成分精确可控、配比范围大。 (2) 淀积速率一般高于物理气相淀积，如蒸发、溅射等。 (3) 厚度范围广，由几十纳米至数毫米，且能大量生产。 (4) 膜的结构完整、致密，与衬底粘附性好，台阶覆盖性好 习题 1.金属淀积有几种方法 2.解释铝和单晶硅的尖楔现象，解决这个 问题的两种工艺方法 3.解释铝的电迁移现象 4.淀积膜有几种类型 5.以下各是什么的缩写 ILD，APCVD,LPCVD,PSG,PECVD,VPE,MBE 6.什么叫金属化工艺 7.隔离层金属的作用 8.难熔金属的硅化物作用 9.什么叫做CVD 10.薄膜生长的三个阶段 12.溅射适合于合金淀积吗 13.哪种金属已经成为传统互连金属线，为什么，什么是它的取代物？ 第十一章金属淀积. 谢谢 题6：什么是金属化工艺 题13 题3 解释铝的电迁移现象 题2 尖楔现象 题2 解决尖楔问题 题3 解决电迁移现象的方法 题8 难熔金属硅化物的作用 题1：真空蒸发、溅射、LPCVD低压化学气相淀积。 题2：硅溶解到铝中。 题4：半导体、导体（多晶硅）、绝缘介质膜。 题5：层介质、常压、低压、磷硅玻璃、等离子体辅助、气相外延、分子束。 LPVCD方法：Si3N4作为钝化、掩蔽膜（要垫氧），为减小应力。 题6：集成电路工艺分为前线与后线工艺。 题7：阻止铝硅共溶形成合金。 题10：晶核形成、凝聚成束、连续成膜。 难熔金属及其硅化物有较低的接触电 阻。这些难熔金属主要包括钛、钨、钽和 钼。当它们在硅表面熔合时，它们的硅化物 就形成了。最初计划把难熔金属用于金属化 工艺是在20世纪50年代，但是由于没有可靠 的淀积方法，所以一直进展甚微。由于 LPCVD和溅射工艺的发展，这种状况才得以 改变。 难熔金属硅化物的优点和其作用 1、降低接触电阻， 2、作为金属与有源层的粘合剂。 3、高温稳定性好，抗电迁移性能好 4、可直接在多晶硅上淀积难熔金属，经加温处理形成硅化物，工艺与现有硅栅工艺兼容。 自对准金属硅化物的形成 金属填充塞 11.7掺杂的多晶硅 用硅做栅极的MOS技术的出现，使得 人们自然而然的考虑在芯片中使用多晶硅作 为导线。为了把多晶硅作为导体使用，不得 不在多晶硅中掺杂一些其他物质以增加其导 电性。 掺杂一般通过扩散、离子注入或在 LPCVD工序中原处掺杂。对于离子注入，掺 杂温度越低，该多晶颗粒结构获取的掺杂物 的量就越大。 对于扩散掺杂来说，可以获得最低的电阻 率。 掺杂的多晶硅能够和晶体形成良好的欧姆 接触，因而具有较低的接触电阻，并且能够 氧化形成绝缘层。 11.8淀积方法 金属化工艺技术，像其他制造工艺一样， 由于集成电路发展的需要和新材料的出现，它 经历了一个发展和进化的过程。直到20世纪70 年代，金属淀积的主要方法仍然是真空蒸发。 铝、金和熔断丝金属都通过这个技术来淀积。 由于淀积多金属系统和合金的需要，以 及对金属淀积阶梯覆盖度的更高要求，使得 溅射技术成为了VLSI电路制造的标准淀积方 法。而难熔金属的应用，使金属化工艺发展 出了第三种技术—金属化学气相淀积。 11.8.1真空蒸发 真空蒸发技术一般被用在分立器件或较低集成电路的金属淀积上。在封装工艺中，它也可以用来在晶片的背面淀积金，以提高芯片和封装材料的黏合力。 1、概念及过程 真空蒸发技术是对淀积薄膜的源材料施加 热能或动能，使之分解为原子或原子的集合 体，蒸发并输运到硅片表面后结合或凝聚在 硅片表面而形成薄膜。 2、对真空蒸发的要求 （1）真空蒸发系统应具有加热源，以便将被蒸发材料加热到足够高的温度，形成汽相原子或分子； （2）蒸发必须在真空室中进行，真空度应在1.33×10-2Pa~1.33×10-5Pa ，因为： (a) 保证金属蒸发原子在系统中输运时的平均自由程远大于蒸发源与衬底间的距离； (b) 以免金属原子、分子被氧化； (c) 保证淀积薄膜的纯度。 由于铝在所有蒸发材料中最常见也最重要，因此更加关注铝的淀积。淀积是在真空环境下进行的。首先是化学方面的考虑，当高能的铝原子在晶片上凝结时，如果有任何空气分子存在于容器中的话，它们将会和铝反应形成三氧化二铝，它是一种绝缘材料，如果它们被掺杂进淀积的薄膜，就会使铝作为导体的导电性能打折扣。其次，为了形成均匀的淀积层，铝的真空蒸发真空压力为5×10-5~1×10-9托的环境中进行。 3.灯丝蒸发 通常适用于要求不是很严格的蒸发，比 如说晶片背面的蒸金。将钨丝（或其他金属 丝）缠绕在需要蒸发的金属材料上面，然后 在钨丝上通以大电流，它将淀积金属加热到 液态进而蒸发，淀积