提拉法晶体生长资料收集.docVIP

1、温场设计 温场设计对晶体生长产生直接的影响,在晶体生长过程中,径向和纵向温度分布是温场设计的重点。直接调整相对于感应线圈的柑竭位置的高低(锅位),就可以调整纵向温度分布。底盘的厚度、下保温系统的厚度、保温砂的粒度主要影响熔体表面对流和径向温度分布。上保温系统的高度、观察窗口的大小、高低将影响作为热传输介质的保护气体的对流状态。温场设计时既要考虑热量的导出,又要保证热场的均匀性和稳定性。纵向温度分布、径向温度分布和保护气体的传热对流这三者是密切联系的。根据柑祸的纵横比、感应线圈的尺寸、线圈中增锅的位置来改进和优化温场。 2、保护气氛 根据热传递原理，在高温生长室腔体中，因为较高气压的氮气氛必然加速气体对流,并易于把热是从腔体内传递到腔体外,从而有利于建立大温度梯度的沮场分布,保证了 晶体正常生长,如果对生长室进行抽气,使之变成真空状态,此时在腔体内对流传热消失,而由于;胜体内壁的辐射,促使了腔体内温度更快趋于平衡。这些都有利于在腔体内建立小梯度的温场分布,从而满足了晶体生长后冷却退火时对温场的要求。 3、晶体生长 提拉法生长热量是由增祸传到熔体中的,因此在增祸壁附近的熔体温度较高、熔体密度较小,而远离祸壁的熔体中心则温度相对较低、熔体密度较大,在这种密度差造成的浮力差的作用下,熔体就会从祸壁处向中心处流动,形成自然对流。另一方面,在实际的晶体生长过程中,生长的晶体不停的旋转(有时增祸也同时旋转),从而对熔体产生搅拌作用。在这种搅拌力的作用下,熔体内会形成一股与自然对流近乎相反 的液流,这就是强迫对流。因此在晶体生长过程中,增锅内的熔体液流便有了三种状态,即自然对流占主导的状态(凸界面),自然对流与强迫对流平衡的状态(平界面)和强迫对流占主导的状态(凹界面),如下图所示。 坩锅内熔体的对流状态,直接决定着晶体生长过程中固液界面的形状:对于凹界面状态,由于固液界面处于凹界面时,晶体生长处于一种极不稳定的状态,生长出的晶体散射严重,缺陷密度大,因此是晶体生长过程中必须尽量避免的。凸界面生长方式下,由于存在着小面生长和“死区”Deadzone)现象,因而晶体实际选材面积远小于晶体的截面积。平界面下生长出的晶体没有核心和侧心,整个截面均可以选材用以加工大尺寸的晶体元件。由于在实际晶体生长过程中,固液界面的形状由多种因素所决定,因此界面形状是不能随意选择的。究竟采用什么样的界面来生长晶体,除了要考虑晶体实际应用要求外,还要考虑到材料自身的物化特性。 4、外界因素 一旦受到外界的干扰 (例如功率波动等 ) 就往往容易引起组分过冷生长,在晶体中就产生云层等缺陷。通常采用加大温度梯度的温场分布的护型,通过加速 熔体 的 自然 对流,以减少N d“‘离子在固 一液界面处的聚集,从而避免晶体中云层的产生。 5、几种常见的晶体缺陷 (l)色心 色心的出现大都是晶体中正负离子电荷的失衡或不同离子间位置的交换所导致的。而进入晶体的杂质是多样的,如过渡金属原子或离子、杂质阴离子和异相物。因此当杂质进入晶体后会形成相应的负空位团和正空位团,这些异相团体之间进行空间补偿和电荷补偿时可能形成各种位错,使点阵得到松弛,也可能被析到位错、空芯管道及包裹体中的孔洞里,从而造成色心缺陷。 (2)云层 云层的形成是多方面的,由于晶体生长过程中的不可知因素,如杂质的进入、缺陷点的引入造成光弥散点和小散射颗粒,而这些弥散点或小散射颗粒大量堆积形成“云层”一样的缺陷,这些“云层”严重影响了晶体的质量,是必须要被克服的。 (3)开裂 晶体的开裂是一个复杂的物理化学过程,受热应力、生长工艺参数、结构应力、化学应力和机械应力等诸多因素的影响。在晶体生长过程中,由于温场设计不合理,温度梯度过大或加热、冷却速率过快皆会使晶体产生热应力而发生相对形变,造成晶体开裂。 (4)位错 晶体的线缺陷表现为各种类型的位错。提拉法生长的晶体产生位错的原因有很多。主要原因:一是籽晶中位错的延伸,二是晶体中存在的应力。由籽晶引入的位错,由热应力引起位错增殖,由于杂质不均匀偏析而造成晶胞常数变化的差异产生应力引发位错,以及晶体冷却过程中局部热应力集中引入位错等。由于生长和降温过程中存在温度梯度、在生成的靠近固液界面处的晶体会产生明显的径向热应力,同时晶体热膨胀系数的各向异性会产生机械应力,组分分布不均以及杂质分凝也会在晶体内部产生化学应力,这些应力均可能诱导位错的产生。 (5)孪晶 孪晶是指两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系。孪晶可分为生长过程中形成的生长孪晶、在固体相变时所形成的转移孪晶和由外力使晶体发生形变时所形成的机械孪晶。光学晶体中的孪晶缺陷主要是生长孪晶。与位错一样,孪晶的存在也会降低晶体的光学均匀性。生长孪晶的形成大致可分为下述 几种情形: a)生长一开始形成的