集成电路工艺基础—硅的晶体结构培训课件(ppt 49页).pptVIP

等效晶向（2） 1.2.2 晶面 晶面：晶格中的原子处在的一系列彼此平行的平面系 晶面方向：晶面的法线方向，可由相邻的两个平行晶面在坐标轴上的截距的倒数来标识。 晶面指数：(h1,h2,h3）;{h1,h2,h3} 原子面密度：原子个数/单位面积 （110）面上的原子密度最大 等效晶面 硅片鉴别方法（SEMI标准） 双级集成 电路工艺 CMOS集成 电路工艺 1.2.3 堆积模型图 密堆积模型 密排面 两层密排面 密堆积类型： ABAB…..六角密积 ABCABC…..立方密积 密堆积类型 通过对面心立方晶格中（111）面原子的观察： 面心立方晶格的（111）面是密排面 面心立方晶格的（111）面之间的堆积是立方密积 1.2.4 双层密排面 双层密排面特点： 密排面面内原子结合力强，面间结合力弱 金刚石晶格是由两套面心立方晶格套构而成，故其{111}晶面是原子密排面。 硅晶体的堆积次序是：AA′BB ′ CC ′ AA ′ BB′ CC ′ ··· 硅晶体的密排面为双层密排面 金刚石晶面性质： 1.由于{111}双层密排面面内原子结合力强，面间结合力弱，故晶体易沿{111}解理面劈裂 2.面内原子结合力强，化学腐蚀比较困难和缓慢，所以腐蚀后容易暴露在表面上 3.由于{111}双层密排面之间距离很大，结合力弱,晶格缺陷易在面间形成和扩展 4.面内原子结合力强，能量低，晶体生长中有生成（111）晶面的趋势 返回 1.3 硅晶体中的缺陷 点缺陷：自间隙原子、空位、 肖特基缺陷、弗仑克尔缺陷 线缺陷：刃位错、螺位错 面缺陷：层错、晶粒间界 体缺陷：掺入杂质的量大于硅可接受的浓度时，杂质将在晶体中沉积，形成体缺陷。 返回 点缺陷（扩散、氧化） 返回 线缺陷 刃位错的形成：其根本原因是晶体内部应力的存在 金属杂质容易在线缺陷处析出，从而劣化器件的工作性能。 刃位错的形成 螺位错的形成 返回 实际晶体中的位错线为一曲线，为混合位错 面缺陷（层错和晶粒间界） 如果出现面缺陷，则该晶体不能用来制作集成电路。 层错：是由于原子排列次序发生错乱引起的。 可以通过外延层错测量外延层的厚度。 返回 §1.4 硅中的杂质 1.4.1 导体、半导体和绝缘体 导体、半导体和绝缘体 电阻率区分：导体 10-10 Ω· cm；绝缘体 108 ～1012 Ω· cm； 半导体 10-6 ～10 Ω· cm 半导体？ 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 半导体电阻率的高低与所含杂质浓度密切相关 §1.4 硅中的杂质 本征半导体：不掺杂的半导体 本征半导体中的载流子 通过热激发产生的电子和空穴对（与温度有关） 参考P14图1.17 Si和 GaAs中本征载流子浓度与温度的关系 实际使用的半导体：在纯净的半导体中掺入某些杂质，使它的导电能力和导电类型改变。 改变的原因：掺杂半导体中某种载流子浓度大大增加 参考P15图1.18 电阻率与杂质浓度的关系 N 型半导体（Ⅴ族元素） +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 多余电子只受P原子核库仑势的吸引，故小能量即可使其脱离P原子核的束缚成为自由电子。 处于晶格位置又能贡献电子的原子（P）称为施主杂质。 电子浓度增加导致导电能力增强。 P 型半导体（III 族元素） +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 能提供多余空穴的杂质称为受主杂质。P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 掺杂半导体 杂质补偿 定义：不同类型杂质对导电能力相互抵消的现象 对导电类型和导电能力的影响？ 实际应用？ PN 结 在一块半导体中，一部分掺入N型杂质，另一部分掺入P型杂质，那么在两种杂质浓度相等处就形成P-N结。 制造器件和集成电路的基础 掺杂半导体 杂质类型： 施主、受主： 硼、磷等 特殊杂质：金（扩散速率快，作为寿命控制杂质） 玷污杂质：碳、氧 碳 会导致p-n结的过早击穿 氧 生成络合物，起施主作用 返回 章硅的晶体结构与单晶生长 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中的杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 1.6 硅单晶生长 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 下一页 §1.1 硅晶体结构的特点 1.1.1 晶胞 1、晶格 简单立方 体心立方 面心立方 2、晶胞 定义：最大限度地反映晶体对称性质的最小单元 300K时，硅的a=5.4305? ,锗的a=5.6463? 硅晶胞（金刚石结构） 两