沟槽栅低压功率mosfet的发展（下）——减小器件优值f.pdfVIP

沟槽栅低压功率 MOSFET 的发展（下） ——减小器件优值 FOM 张娜，吴晓鹏 北京工业大学功率器件及功率集成电路研究室 随着微电子行业的发展，微处理器正在代代更新，其性能更是迅速提高（如工作频率越来越 高等），这就要求其电流不断增大。同时，为了降低功耗，电源电压必须不断降低。下一代处理器 的供电电压将会降到 1.1V～1.8V，电流处理能力将达到 50A~100A [1] ，更多的功能将被集成在一 块处理器芯片上，并且处理器工作频率超过 2GHz 。这就对供电电源中的元器件提出了新的挑战。 需要使用特殊的电源，或电压调节模块（Voltage Regulator Modules ）为微处理器提供更低的电压 和更高的电流。 现在，大部分 VRM 都是使用传统的 Buck 电路（使用 Schottky 二极管整流）或同步整流 Buck 电路（使用整流管整流）。相对于传统 Buck 电路来说，同步整流 Buck 电路使用通态电阻极低的 MOSFET 代替了 Schottky 二极管，所以能很大程度上减小传导损耗，有利于提高效率。但是要为 未来的微处理器供电，这两种电路存在明显的限制。为了在瞬态条件下满足电压调节的要求，电 路需要有更多的输出滤波电容和退耦电容。然而，VRM 的空间是有限的，增加电容的做法不切实 际。所以应该发展具有更高频率、更高功率密度和更快瞬态响应的 VRM 。 对于 VRM 来说，一个限制其发展的因素来自于效率。图 1 显示出了在 2V 输出下使用传统 Buck 电路和同步整流 Buck 电路的 VRM 效率。使用 IR 公司的 IRL3803 作为开关，通态电阻为 6mΩ，额定电压 30V 。重负载情况下 VRM 效率很难达到 80 ％。对于更低的输出电压，达到要求 的效率更加困难。如图 2 所示，将输出电压降为 1.2V，对于整个负载范围来说，VRM 的效率都 很难达到 80 ％。 图 1 输出电压 2V 时 VRM 的效率[2] 图 2 输出电压 1.2V 时 VRM 的效率[2] 制约 VRM 效率提高的因素来自于电路中使用的功率器件。目前Buck 电路中作为开关使用的 功率器件大部分为低压功率 MOSFET 。基于纵向功率 MOSFET 工艺，现在这些功率 MOSFET 额 定电压都在 30V 左右。随着微处理器的输出电流和开关频率的不断提高,使得功率 MOSFET 的自 身损耗变得越来越重要[3]。对于用作同步整流的 MOSFET （也称为低侧MOSFET ）而言，由于其 大部分时间处于导通状态，所以传导损耗远大于开关损耗，因此需要器件有极低的导通态电阻以 减小传导损耗。这可以通过对击穿电压和通态电阻 Rdson 的折衷来进行优化[4] 。而对于用作控制 开关的 MOSFET （也称为高侧MOSFET ），由于它大部分时间工作在开关状态，所以开关损耗远 大于传导损耗，因此应提高其开关速度以减小开关损耗。在功率 MOSFET 中，我们最关心两个指 标：一个是它的通态比电阻（specific on-resistance ）R ，另一个则是它的栅电荷 Q 。这是由于 dson g 1 它们分别决定着器件的传导损耗和开关损耗。栅电荷 Qg 包含两部分：一部分是栅-源之间的电荷 Qgs ，另一部分是栅-漏之间的电荷 Qgd 。功率管在开、关两状态间变化时，Cgd 上的电压变化远大 于 Cgs 上的电压变化，相应的充、放电电荷量 Qgd 较大，所以 Qgd 对开关速度的影响较大，因此我 们更关心的是如何通过减小 Qgd 来改善器件的开关特性。然而在很多情况下，减小 Qgd 和减小 Rdson 是相互矛盾的，所以就要借助优值 FOM ＝Rdson ×Qgd （FOM 与芯片面积无关）这一参数作为衡量 器件性能的指标，得到一个折衷情况。由于较高的 FOM 不仅会限制 VRM 的效率，而且还会限制 其工作频率，所