石墨烯的制备综述.pptVIP

石墨烯的制备 2016.12.23 汇报人：XX 目录 石墨烯概述 1 这是一种各项性能极其优异的新材料 石墨烯概述 1 2 3 4 单层二维晶体 同素异形体构成单元 物理性能优异 应用前景广泛 1 传感器 石墨烯概述 2 石墨烯制备方法概述 2 实验室制备石墨烯方法简介 微机械剥离法 碳纳米管横向切割法 微波法 电弧放电法 光照还原法 石墨氧化还原法 电化学还原法 溶剂热法 液相剥离石墨法 碳化硅裂解法 外延生长法 化学气相沉积法 石 墨 烯 的 制 备 方 法 石墨烯制备方法概述 4 石墨烯制备 制备方法的分类 主要制备方法 物理方法 微机械剥离法 液相或气相直接剥离法 化学方法 外延生长法 石墨氧化还原法 化学气相沉积(CVD)法 溶剂热法 5 6 石墨烯制备 外延生长法 石墨烯制备 7 原理 1、清洗 2、浸泡 3、蚀刻 4、吹干 衬底处理 制备步骤 原理 准备工作 制备步骤 外延法 碳化硅外延法 金属外延法 SiC加热 蒸掉Si, C重构生 成石墨烯 1.衬底升温除水蒸气 2.750℃蒸Si 3.1300℃退火重构得石墨烯 在晶格匹配 的金属上高真空热解含碳化合物 UHV生长室 衬底粗糙度 0.03um， 丙酮、乙醇 超声波洗涤 金属放入UHV 生长室，在金属衬底上热分解乙烯,并高温退火。 得到单层或少层较理想石墨烯，但难实现大面积制备、能耗高、不利转移 单层,生长连续、均匀、大面积 石墨烯制备 步骤： (图1(a)为用胶带粘连撕揭石墨晶体材料顶部的几层石墨片， 图1(b)为一些石墨薄片堆叠在胶带上， 图1(c)为将胶带上的石墨薄片按下粘在一定的衬底上， 图1(d)为撕揭胶带使得有些石墨片脱离胶带留在衬底上) 这种方法后来简化为直接用胶带从HOPG上揭下一层石墨，然后在胶带之间反复粘贴使石墨片层越来越薄，再将胶带贴在衬底上，单层石墨烯即转移到衬底上。康斯坦丁·诺沃肖洛夫等也是通过这种机械分离法制备石墨烯，但他们是用热解石墨通过摩擦的方式在体相石墨的表面获得单层的石墨烯。后来，Bunch、Meyer、Schlebergerf等不断发展和完善了这类方法。 微机械剥离法 8 石墨烯制备 化学气相沉积法（CVD） 9 将碳氢气体吸附于具有催化活性的非金属或金属表面，加热使碳氢气体脱氢在衬底表面形成石墨烯. 原 理 温度 石墨烯制备 不同制备方法的比较 10 化学气相沉积被认为是最有前景的石墨烯制备方法 化学气相沉积 3 获得高质量的大片石墨烯 化学气相沉积法概述 石墨烯的CVD生长主要涉及三个方面：碳源、生长基体和生长条件 12 采用单晶Co、Pt、Pd、Ir、Ru等基体在低压和超高真空中实现了石墨烯的制备。 20世纪70年代尝试采用单晶Ni作为基体, 制备石墨烯，但缺乏有效的表征手段。 2009年, J. Kong研究组与B. H.Hong研究组首次制备出大面积少层石墨烯, 并成功转移。 R. S. Ruoff研究组采用CH4为碳源,用铜箔制备出尺寸可达厘米级的石墨烯。 B. H. Hong研究组进一步发展该法, 制备出30英寸的石墨烯膜,透光率达97.4%。 N. P. Guisinger组的研究表明:石墨烯的生长始于石墨烯岛，具有不同的晶体取向,从而导致片层的结合处形成线缺陷。 高鸿钧研究组,采用单晶Ru作为基体, 制备出毫米级单晶石墨烯。 CVD发展历程 13 01 02 03 04 热壁低压化学气相沉积LPCVD 金属有机化学气相沉积MOCVD 等离子体化学气相沉积PECVD 激 光 化 学 气 相 沉 积 LCVD 常见的CVD技术 CVD发展历程 14 选择碳源需要考虑的因素主要有烃类气体的分解温度、 分解速度和分解产物等。 碳源的选择在很大程度上决定了生长温度 目前生长石墨烯的碳源主要是烃类气体,如甲烷(CH4)、 乙烯(C2H4)、乙炔(C2H2)等 CVD 法制备石墨烯 碳源 烯 CVD生长碳源 15 选择的主要依据有金属的熔点、溶碳量以及是否有 稳定的金属碳化物等。 金属的晶体类型和晶体取向也会影响石墨烯的生长 质量。 目前使用的生长基体主要包括金属箔或特定 基体上 的金属薄膜。 CVD 制备石墨烯 生长基体 烯 CVD生长基体 16 据载气类型不同可分为还原性气体(H2)、惰性气体 (Ar、He)以及二者的混合气体。 据生长温度不同可分为高温(800 ℃)、 中温(600 ℃ ～ 800 ℃) 和低温(600 ℃) 。 从气压的角度可分为常压、低压(105 Pa～ 10-3Pa) 和超低压(10-3Pa)。 CVD 制备石墨烯 生长条件 烯 CVD生长条件 17 CVD生长步骤 18 CVD—机制 化学