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常用半导体器件 2.1半导体基础知识 1. 半导体及其特性 自然界中的物质， 按照它们的导电能力可分为导体、绝缘体和半导体三类。导电性介于导体 和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅 （Si)、 锗（Ge)、硒 （Se)、 砷化镓以及大多数金属t(化物和硫 化物等。 半导体的最大特点是其导电能力受温度、光照、掺杂等影响很大。一般说来，半导体材料有 三个特点。 (1) 大部分半导体的导电能力随温度升高而增强。有些半导体对温度的反应特別灵敏，通 常采用这种半导体做成热敏元件。 (2) 半导体的导电能力随光照强度的变化而变化。有拽半导体当光照强度变化叫其导电能 力变化很大。例如.当硫化镉薄膜，无光照时.它的电阻达到几十兆欧.是绝缘体；而受到光照 时，电阻却只有几十千欧。利用半导体的这种特性，我们乂可以做成各种光敏元件。 (3) 如果在纯净的半导体中掺人微量的其他元素 （通常称作掺杂），半导体的导电能力会随 着掺杂浓度的变化而发生显著变化。例如，在纯硅中掺人1%的磷以后，其电阻率^从2. 14X ltm. cm变化到0.2;Q. cm。各种不同用途的基本半导体器件，如晶体二极管、晶体三极管、场 效应管等就是利用半导体的这个特性制成的。 2. 本征半导体和杂质半导体 1)本征半导体 本征半导体就是完全纯净的具有晶体结构 （即原子排列按一定规律排得非常粘齐）的半 导体。 典型的半导体材料有硅 （Si)和锗 （Ge).它们都是四价元素.即每个原子的最外层冶四个价电 章常)丨】乍导体器件 子，其原子结构分别如图2-1-1 (a)和 （b)所示。相邻原子之间都共有-对电子，使相邻两原子紧 密地联系在一起，形成共价键结构，如图2-1-2U)所示。硅和锗等半导体材料都是晶体结构.因 此，用半导体材料制成的二极管和¥极管等又叫品体管。 在温度接近绝对零度 （一273°C)时，共价键中的价电子被朿缚得很紧.本征半导体基本上没 有自由电子，不能导电，此时就是一个绝缘体。在室温下.共价键中的价电子受热的激励，使少量 价电子获得足够多的能ft后摆脱共价键的束缚而成为自由电子.这时在原来的位置上留下一个 空位，叫做空穴，如图2-l-2(b)所7K。自由电子带负电，空穴因失去电子而带正电。在本征半导 体中，有了一个自由电子.就必然产生一个空穴，两者的数量相等。电子和空穴不断地产生，也不 断地复合.在一定的温度下•半导体材料中保持一定数量的自由电子和空穴。 ^ ^ ^ © . © 乃％\乃％ •丨ti J— 〇 图2-]-1硅、锗原子结构 阁2 1-2〖i|.单品体结构 在外电场的作用下，自由电子会作定向运动，空穴也会作定向运动。因为在外电场的作用 下.有空穴的原子可以吸引相邻原子中的价电子来填补这个空穴。这样在被夺取价电子的原子 中又造成一个新的空穴， 这一新的空穴也同样会吸引另一个原子中脱离出的电子使对方乂形成 新的空穴。如此连续下去， 这种现象可以看成是空穴运动. 如图2-1-3所示。因此，当半导体两端加上外电压时.半导体 将出现两种载流子，带负电的自由电子和带正电的空六。这 就是半导体导电方式的最大特点，也是半导体和金属在导电 原理上的本质差别。 在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的，都称 为载流子。半导体内载流子的多少.决定半导体导电性能的 好坏。在室温下，本征半导体中自由电子和空穴的数量很 图2-1-3空穴运动 少，因而它的导电能力远远不如导体。 2)杂质半导体 本征半导体载流子