晶体管的h参数等效电路及动态参数的估算复习课程.pptVIP

E4a0224 等效电路法 E4a02242 晶体管的h参数等效电路 及动态参数的估算 ;1. 晶体管的h参数等效电路; 晶体管的输出特性曲线近似一个电流源，这个电流源受基极电流控制，属于电流控制电流源(CCCS)，所以，晶体管的输出回路可以用近似的电流源 来模拟。; 低频线性条件下将晶体管看成一个线性双口网络，然后用输入和输出特性曲线方程式，通过求偏导数来定义h参数，并建立等效电路模型。;上述方程式如仅考虑正弦量，可用复数量表示，写成;;2. h参数的求解; 在讨论这个问题时，可借助于晶体管的物理结构示意图，见图02.02.17 (图中受控源未画) ，晶体管内部有发射区、集电区和基区，以及两个PN结，b相当基区内的一个点，b才是基极。晶体管发射结伏安特性曲线方程式如下：; 在共射组态下，从基极b看进去的等效电阻为rbe，其中的电流是ib。所以rbe是两部分电阻之和，一个是rbb? ，另一个是re归算到基极回路的电阻值，所以有 ;2.2 晶体管电流放大系数 ? 的求解; 输入信号通过耦合电容加在三极管的发射结于是有下列过程：;3. 放大电路中的电压波形; 1． 放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号，输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大，一