集成电路的设计原理204课前提问.pptVIP

1.说出典型PN结隔离工艺用到的光刻掩膜版(mask)名称及其作用? 下列哪些器件在典型PN结工艺下不能实现？为什么？N+埋层对他们分别有什么影响？NPN管，超增益NPN管，隐埋齐纳二极管肖特基二极管，衬底PNP管，横向PNP管 1. 分别说出下列单元电路的名称，静态输出高电平的特点，并指出哪个电路在基本CMOS工艺下不能实现。 *HIT Micro-Electronics Center 微电子中心 HMEC 集成电路设计原理 *微电子 3月18日课前提问 2.典型PN结隔离工艺中器件间的隔离是如何实现的？埋层有什么作用？ 3.典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后？ P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ C E B 剖面图 3月20日课前提问 1.在N阱硅栅CMOS基本工艺中NMOS管的源漏区注入窗口是如何刻出来的？ 2.在N阱硅栅CMOS基本工艺中采用局部氧化的目的是什么？采用的场区注入又有哪些作用？ 3.说出N阱硅栅CMOS基本工艺用到的光刻掩膜版(mask)名称及其作用? 3月25日课前提问 1.NPN管在发射极条长相同的情况下，双基极双集电极形与单基极条形相比较有哪些特点？ 3.在N阱硅栅CMOS基本工艺中，引线孔、通孔和钝化窗口的作用分别是什么？ 2. 测试时NPN晶体管的饱和压降如果偏高，应如何改进设计？