CN102614032A神经移植体的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102614032A* (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 102614032 A (43)申请公布日 2012.08.01 (21)申请号 201110101123.0 (22)申请日 2011.04.21 (66)本国优先权数据 201110031597.2 2011.01.28 CN (71)申请人 清华大学 地址 100084 北京市海淀区清华大学清 华- 富士康纳米科技研究中心401 室 申请人 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 (72)发明人 冯辰 范立 赵文美 (51)Int.Cl. A61F 2/02 (2006.01) A61L 27/02 (2006.01) A61L 27/30 (2006.01) 权利要求书 2 页 说明书 11 页 附图 11 页 权利要求书2 页 说明书11 页 附图11 页 (54)发明名称 神经移植体的制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种神经移植体的制备方法，其 包括以下步骤：提供一碳纳米管结构；在所述碳 纳米管结构表面形成一亲水层；在所述亲水层远 离所述碳纳米管结构的表面形成一极性层，该极 性层具有与待种植的神经细胞相反的电荷极性； 在所述形成有极性层的亲水层表面种植多个神经 细胞；以及培养该多个神经细胞直到该相邻的神 经细胞相互连接形成一神经网络。 A 2 3 0 4 1 6 2 0 1 N C CN 102614032 A 权 利 要 求 书 1/2 页 1. 一种神经移植体的制备方法，其包括以下步骤： 提供一碳纳米管结构； 在所述碳纳米管结构表面形成一亲水层； 对所述亲水层进行极性化处理，使得该亲水层具有一极性化表面； 在所述亲水层的极性化表面种植多个神经细胞，其中，该极性化表面具有与该多个神 经细胞相反的电荷极性；以及 培养该多个神经细胞直到相邻的神经细胞相互连接形成一神经网络。 2. 如权利要求1 所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括 多个碳纳米管，相邻的碳纳米管之间通过范德华力相互连接。 3. 如权利要求1 所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括 至少一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜为碳纳米管絮化膜、碳纳米管碾压膜或碳纳米管拉膜。 4. 如权利要求1 所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构由至 少一碳纳米管线状结构构成，该碳纳米管线状结构包括至少一碳纳米管线，该碳纳米管线 为非扭转的碳纳米管线或扭转的碳纳米管线。 5. 如权利要求1 所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，在所述碳纳米管结构表 面形成所述亲水层的步骤包括采用蒸镀法、溅射法或喷涂法在所述碳纳米管结构的表面形 成所述亲水层。 6. 如权利要求5 所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，所述亲水层的材料为金 属氧化物或者氧化物半导体。 7. 如权利要求5 所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，所述亲水层的材料为二 氧化硅、二氧化钛或铁的氧化物。 8. 如权利要求5所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，所述亲水层的厚度大于1 纳米且小于等于100 纳米。 9. 如权利要求5 所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，使得该亲水层具有极性 化表面的步骤包括以下步骤：采用多聚氨基酸溶液或聚醚酰亚胺溶液处理所述亲水层远离 所述碳纳米管结构的表面。 10. 如权利要求9 所述的神经移植体的制备方法，其特征在于，所述采用多聚氨基酸溶 液或聚醚