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第二章 电路图基础 读图及复习 N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 与管子对应的结构示意图 Gate Source Drain Substrate 新名词：沟道宽度W和沟道长度L l 晶体管的长度（沟道的长度） w 晶体管的宽度（沟道的宽度） um的概念 复习：N沟道增强型MOS管的 工作原理 复习：N沟道增强型MOS管的 工作原理 通常将开始形成反型层所需的VGS值称为开启电压，用VGS(th)表示。 开启电压取决于场效应管的工艺参数。SiO2绝缘层越薄，N+区的掺杂浓度越高，衬底掺杂浓度越低， VGS(th) 就越小 复习：P沟道增强型MOS管的 工作原理 本书的符号 P6，7，8 CMOS反向器 CMOS与非门 CMOS或非门 复杂逻辑门 画版图的方法 1、层次化画法 16个晶体管 2、合并，形成新的晶体管级描述 8个晶体管 CMOS传输门 单晶和多晶 按照原子在整个晶体内的排列形式不同，晶体分成单晶体和多晶体两种。 单晶是指在整个晶体内原子都是周期性的规则排列 多晶是指在晶体内每个局部区域里原子是周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同 因此多晶体也可看成是由许多取向不同的小单晶体（又称晶粒）组成的。