印制电路第8章 蚀刻技术.pptVIP

8.7 侧蚀与镀层突沿 8.7.1 侧蚀原因 在采用减成法或半加成法制造印制电路板时，在蚀刻工艺中，随着蚀刻向纵深方向发展的同时，铜导线的侧面地被腐蚀，这种现象成为“侧蚀”。侧蚀现象是蚀刻中不可避免地，只能设法减少，但不可能消除。 LOGO 第8章 蚀刻技术 印制电路原理和工艺 蚀刻技术 Add Your Text 概述 三氯化铁蚀刻 过硫酸盐蚀刻 铬酸/硫酸蚀刻 蚀刻技术 蚀刻技术 氯化铜蚀刻 过氧化氢/硫酸 蚀刻工艺 侧蚀与镀层突沿 侧蚀设备 8.1 概述 当印制电路板在完成图形转移之后，要用化学腐蚀的方法，去除无用的金属箔（层）部分，以获得所需要的电路图形。这一工艺过程称为“蚀刻工艺”，简称“蚀刻”。 最早是使用三氯化铁的水溶液为蚀刻液。由于存在着溶液处理及污染等固有的缺点，而逐渐被淘汰代之以氯化铜、过硫酸盐、过氧化氢—硫酸、氨碱以及其它刻蚀液。 低溶度 最佳浓度范规 高浓度 重量百分比 28 34 38 42 浓度 （克/升） 365 45.2 530 608 （摩尔/升） 2.25 2.7 3.27 3.75 比重（克/毫升） 1.275 1.353 1.402 1.450 波美度（。B`e） 31.5 38 42 45 表 8-1三氯化铁蚀刻剂的组成（20℃） 8.2.2蚀刻机理 1) FeCl3＋Cu→FeCl2+CuCl 2) FeCl3＋CuCl→FeCl2＋CuCl 3) CuCl2＋Cu→2CuCl 图8-1 Fe3+的消耗量与Fe3+及Cu2+溶铜量的关系 8.2.3蚀刻工艺因素 1.蚀刻剂的浓度 2.温度 3.酸度 4.搅拌和过滤 图8-3 不同蚀刻液溶铜量与蚀刻速率的关系 8.2.4 蚀刻工艺 用三氯化铁为蚀刻剂的蚀刻工艺流程如下： 预蚀刻检查→蚀刻→水洗→浸酸处理→水洗→干燥→去除蚀层→热水洗→水冲洗→（刷洗）→干燥→检验 8.3.1酸性氯化铜蚀刻剂 这种蚀刻剂以氯化铜（CuCl2·2H2O）为基础，加入盐酸及其它可溶性氯化物配制，它适用于丝网漏印印料、干膜、金和锡—镍合金为抗蚀层的印制板的生产。 8.3 氯化铜蚀刻 1 2 3 4 氯化铜（CuCl2·2H2O） 170 g 0.58mol 0.58mol 0.13～0.66mol 盐酸（HCl） 0.6 l 8mol 0.13mol 0.05～0.15mol 氯化钠（NaCl） 1.06mol 0.8mol 氯化铵（NH4Cl） 0.13～0.63mol 表8-2 酸性氯化铜蚀刻剂组成（国外配方） 1 2 3 4 氯化铜（CuCl2·2H2O）(g/l) 350～500 100 170～500 200 盐酸（ml/l） 8.0～100 100 氯化钠（NaCl）(g/l) 46 200 氯化铵（NH4Cl） 饱和 表 8-3 酸性氯化铜蚀刻剂的组成（国内配方） 2.蚀刻机理 这种蚀刻剂是以而价铜离子与铜箔的铜进行氧化。 Cu＋CuCl2 →2CuCl 但CuCl是微（溶解度微0.006）溶于水化合物。它可溶于盐酸和氨中，当有足够数量的氯离子存在时，氯化铜首先形成铜氯络离子： CuCl2＋2Cl－ →[CuCl4]2- 3.蚀刻工艺因素 1） 氯离子浓度 2） 铜离子（Cu2+）浓度 3） 温度 图8-5 氯化物种类和浓度与相对蚀刻速度的影响 曲线：1.CuCl2水溶液 2.CuCl2+2MNaCl溶液 3.CuCl2+饱和NaCl溶液 4.CuCl2+6MHCl溶液 4.蚀刻设备 根据生产规模有四种蚀刻设备可供选择，即 浸渍蚀刻机 鼓泡蚀刻机 溅泼蚀刻机 喷淋蚀刻机 图8-7 自动蚀刻机 5. 蚀刻中存在的问题分析 （1）蚀刻速度慢 （2）在印制板及溶液中有沉淀出现 （3）抗蚀后层开裂 （4）印制板板面有黄色残余物 1. 碱性氯化铜蚀刻剂的组成 这种蚀刻剂以二价铜离子和氨为主要成分 配方 1 2 氯化铜（CuCl2·2H2O）(g) 240～250 100 氯化铵（NH4Cl）(g) 100 100 氨水（NH3·H2O） 670～700 670 去离子水 加至1000ml 加至1000ml 2. 蚀刻机理 这种蚀刻液是通过二价铜离子的氧化作用和氨的络合作用同时对铜箔进行腐蚀和溶解，达到蚀刻的目的。 CuCl2＋4N