单片机原理及应用系统设计第5章 IO口的配置与应用.pptxVIP

第5章 I/O口的配置与应用;主要内容;5.1.1 并行I/O口工作模式 IAP15W4K58S4单片机最多有62个I/O口，P0~P7（没有P5.6和P5.7） 其中IAP15W4K58S4（LQFP44封装）单片机共有42个I/O端口线。本书以LQFP44封装为例。 LQFP44所有I/O口均可由软件配置成4种工作类型之一，如下表所示。 4种类型分别为：准双向口/弱上拉（标准8051输出模式）、推挽输出/强上拉、仅为输入（高阻）或开漏输出功能。 ;5.1.1 并行I/O口工作模式 I/O口驱动能力 每个I/O口驱动能力均可达到20mA 40-pin及40-pin以上单片机的整个芯片最大不要超过120mA 20-pin以上及32-pin以下（包含32-pin）单片机的整个芯片最大不要超过90mA ;5.1.1 并行I/O口工作模式 I/O口控制 每个口由2个控制寄存器中的相应位控制每个引脚工作类型。 STC15系列单片机的I/O 口上电复位后为准双向口/弱上拉（传统8051的I/O 口）模式。 每个端口的工作模式由PnM1和PnM0（n=0,1,2,3,4,5）两个寄存器的相应位来控制。 除与专用PWM模块有关的引脚（P0.6/P0.7/P1.6/P1.7/P2.1/ P2.2/P2.3/P2.7/P3.7/P4.2/P4.4/P4.5）为高阻外， IAP15W4K58S4单片机上电复位后所有I/O口均为准双向模式。 ;补充：上拉电阻与下拉电阻;补充：上拉电阻与下拉电阻;补充：上拉电阻与下拉电阻;补充：上拉电阻与下拉电阻;补充：上拉电阻与下拉电阻;补充2：灌电流与拉电流;补充2：灌电流与拉电流;表5-1 I/O口工作模式的设置 ;5.1.2 并行I/O口的结构;1.准双向口工作模式; 准双向口有三个上拉场效应管T1、T2、T3，以适用不同的需要。其中，T1称为“强上拉”，T2称为“极弱上拉”，T3称为“弱上拉”。 1.当口线寄存器为“1”且引脚本身也为“1”时，T3导通，T3提供基本驱动电流使准双向口输出为“1”。如果一个引脚输出为“1”而由外部装置下拉到低电平时，T3断开，而T2维持导通状态。 2.当口线锁存为“1”， T2导通。当引脚悬空时，这个极弱的上拉源产生很弱的上拉电流，当引脚上拉为高电平。 3.当口线锁存器由“0”到“1”跳变时，T1用来加快准双向口由逻辑“0”到逻辑“1”的转换。当发生这种情况时，T1导通约两个时钟，以使引脚能够迅速地上拉到高电平。 ; ;3.仅输入（高阻）工作模式;4. 开漏输出工作模式;4. 开漏输出工作模式;5.2 与I/O口有关的特殊功能寄存器及其地址声明; P4 register，地址C0H，可位寻址，如表所示： P4M1 register，地址B3H，如表所示： P4M0 register，地址B4H，如表所示： ; P3 register ，地址B0H，可位寻址，如表所示： P3M1 register，地址B1H，如表所示： P3M0 register，地址B2H，如表所示： ; P2 register，地址95H，可位寻址，如表所示： P2M0 register，地址96H，如表所示： P1 register ，地址90H，如表所示： ; P1M1 register，地址91H，如表所示： P1M0 register，地址92H，如表所示： P0 register，地址80H，可位寻址，如表所示： ; P0M1 register，地址93H，如表所示： P0M0 register，地址94H，如表所示： ;下面分别列出汇编语言和C语言情况下，各个I/O的地址声明。 1.汇编语言 /*以下是P5口新增功能寄存器的地址声明 P5 EQU 0C8H ; OR P5 DATA 0C8H P5M1 EQU 0C9H ; OR P5M1 DATA 0C9H P5M0 EQU 0CAH ; /* 以下是P4口新增功能寄存器的地址声明 P4 EQU 0C0H ; OR P4 DATA 0C0H P4M1 EQU 0B3H ; OR P4M1 DATA 0B3H P4M0 EQU 0B4H ; ;; 以下是P3口新增功能寄存器的地址声明 P3M1 EQU 0B1H ; OR P3M1 DATA 0B1H P3M0 EQU 0B2H ; ; 以下是P2口新增功能寄存