期末复习资料汇总.pdfVIP

第三章 双极结型晶体管 填空题 1、晶体管的基区输运系数是指（ 基区中到达集电结的少子 ）电流与（ 发射结注 入基区的少子 ）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（ 扩 散 ），从而使基区输运系数 （ 变大 ）。为了提高基区输运系数， 应当使基区宽度（ 小于 ）基区少子扩散长度。 2、晶体管中的少子在渡越（ ）的过程中会发生（ ），从而使到 达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（ ）。 3、晶体管的注入效率是指 （ ）电流与 （ ）电流之比。为了提高注入效率，应当使（ ）区 掺杂浓度远大于（ ）区掺杂浓度。 4 、晶体管的共基极直流短路电流放大系数 α 是指发射结（ 正 ）偏、集电结 （ 零 ）偏时的 （ 集电结 ）电流与 （ 发射结 ）电流之比。 5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数 β 是指（ 发射 ）结正偏、 （ 集电 ）结零偏时的（ 集电结 ）电流与（ 基区 ）电流之 比。 6、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）基 区宽度，（ ）基区掺杂浓度。 7、某长方形薄层材料的方块电阻为 100Ω，长度和宽度分别为 300 μm和 60 μm， 若要获得 1k Ω 的电阻，则该材料的长度应改变为（ 600 μm ）。 8、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（ ），它对少子在基 区中的运动起到（ ）的作用，使少子的基区渡越时间（ ）。 9、小电流时 α 会（ ）。这是由于小电流时，发射极电流中 （ ）的比例增大，使注入效率 下降。 10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高 （ ），反而会使其（ ）。造成发射区重掺杂效应的原因 是（ ）和（ ）。 11、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（ ）于基区的禁带宽度，从 而使异质结双极晶体管的（ ）大于同质结双极晶体管的。 12、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而 （ ）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（ ），这称 为（ ）效应。 13、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（ ），使基区宽度 （ ），从而使集电极电流（ ），这就是基区宽度调变效应（即厄 尔利效应）。 14、I ES是指（ 集电