电路基本第3章 常用半导体元件及其特性 .ppt

(2) N型半导体 4价元素掺入微量5价元素后形成N型半导体。 自由电子数空穴数。 4价元素掺入微量3价元素后形成P型半导体。 空穴数自由电子数。 (3) P型半导体 ⒈ P型半导体和N型半导体 ⑴ 本征半导体。 纯净的半导体材料称为本征半导体。 3.1.1 PN结 第3章 常用半导体元件及其特性 3.1 二极管 ⒉ PN结单向导电性 ⑴ 加正向电压——导通。 ⑵ 加反向电压——截止。 E P区 N区 耗尽层 内电场 外电场 U - + R IR E P区 N区 耗尽层 内电场 外电场 U + - I R a) b) 图3-1 外加电压时的PN结 a) 正偏 b) 反偏 3.1.2 普通二极管 1. PN结的伏安特性 ⑴ 正向特性 ① 死区段；② 导通段 ⑵ 反向特性 ① 饱和段；② 击穿段 2. 温度对伏安特性的影响 ① 温度每升高1℃ Uon约减小2~2.5mV。 ② 温度每升高10℃ 反向电流约增大一倍。 3.1.3 稳压二极管 ⒈ 伏安特性 ⒉ 稳压工作条件 ① 电压极性反偏； ② 有合适的工作电流。 3.2 双极型晶体管 3.2.1 晶体管概述 ⒈ 基本结构和符号 2. 电流分配关系: IE=IC+IB 3.2.2 共发射极特性曲线 晶体管共射电路工作状态 ⑴ 放大区 条件：发射结正偏，集电结反偏。 特点：iC＝βiB，iC与iB成正比关系。 ⑵ 截止区 条件：发射结反偏，集电结反偏。 特点：iB＝0，iC＝ICEO≈0 ⑶ 饱和区 条件：发射结正偏，集电结正偏。 特点：iC与iB不成比例。 即iB增大，iC很少增大或不再 增大，达到饱和，失去放大作用。 ⑷ 击穿区 击穿区不是三极管的工作区域。 3.3 场效应晶体管概述 ⑴ 场效应晶体管属于单极型晶体管。 只有一种载流子（多数载流子）参与导电； 双极型晶体管有两种载流子（多子和少子）参与导电。 ⑵ 场效应晶体管的输入电阻大大高于晶体管。 MOS场效应晶体管输入电阻可高达1015Ω。 ⑶ 场效应晶体管是电压控制元件。 用栅源电压uGS控制输出电流iD。 ⑷ 场效应晶体管热稳定性比晶体管好。 ⑸ 场效应晶体管便于大规模集成。 ⑹ MOS场效应晶体管易击穿。 在保存、测试和焊接时，栅极不能是悬空。