P阱CMOS芯片制作工艺设计 .pptVIP

P阱CMOS芯片的工艺流程 21.涂光刻胶 22.刻蚀N沟MOS管区域的胶膜：第七次光刻 23.注入掺杂N沟MOS管区域（第六次注入）：形成MOS管的源漏区。 24.生长磷硅玻璃:对器件隔离保护。 综合21、22、23、24四步如图： 光刻胶 N-Si P- P P阱CMOS芯片的工艺流程 25.引线孔光刻：第八次光刻 如下图： PSG N-Si P P- P+ N+ N+ P阱CMOS芯片的工艺流程 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ P阱CMOS芯片制作工艺设计 P阱CMOS芯片制作工艺设计 MOS管的器件结构参数确定 确定P阱CMOS芯片的工艺流程 薄膜加工工艺参数计算 给出CMOS芯片制作的工艺实施方案 设计任务 一、MOS管的器件结构参数确定 NMOS管参数设计与计算 PMOS管参数设计与计算 NMOS管参数设计与计算 特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s） NMOS管参数设计与计算 由 得 从而有： NMOS管参数设计与计算 饱和电流： 跨导： 于是取：W/L 13.4 NMOS管参数设计与计算 由截止频率： 知：L 3.1um 由 和经验公式： 知： NMOS管参数设计与计算 又因为阈值电压： 其中： 将 带入以上各式可得： 0.48V 与要求 0.5V 相差不多 故 满足要求 NMOS管参数设计与计算 最后由： 故综上取： 则：W=30um PMOS管参数设计与计算 特性指标要求： p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS=≥25V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp=220cm2/V·s） PMOS管参数设计与计算 由 得 从而有： PMOS管参数设计与计算 饱和电流： 跨导: 于是取：W/L 12.2 PMOS管参数设计与计算 截止频率： 知：L 3.24um 由 和经验公式： 知： PMOS管参数设计与计算 又因为阈值电压： 其中： 将 带入以上各式可得： 与-1V相比相差稍微有点大，故作微调取： 此时： 满足要求 PMOS管参数设计与计算 最后由： 故综上取： 则：W=60um 注：这里无论是NMOS还是PMOS的计算都是以理想 在计算，实际做时要考虑安全余量适当做厚点 因为 为了保持电流连续性一般取PMOS 的宽长比为NMOS的2倍 P阱CMOS芯片的工艺流程 二、P阱CMOS芯片的工艺流程如下: 衬底制备 初始氧化 阱区光刻 P阱区注入及推进 场氧化及 去除 有源区光刻 淀积 预栅氧化及P管 注入 栅氧及多晶硅 淀积、掺杂 光刻 P+区光刻及注入 N+区光刻及注入 Al淀积、光刻及 合金 引线空光刻 PGS淀积及源漏 区推进 N管场区光刻， 场注入 P阱CMOS芯片的工艺流程 1.衬底制备 由于CMOS器件对界面电荷特别敏感，衬底与 界面