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第三节 半导体三极管双极型晶体管(BJT) 一、三极管的结构与种类 三极管是由两个PN结、三个杂质半导体组成，杂质半导体有P、N两种类型，所以三极管的组成形式有NPN和PNP两种。NPNSi结构｛材料｛PNPGe高频管小功率管｛功率｛频率大功率管低频管NPN型PNP型NPN型三极管集电区：面积最大基区：最薄，掺杂浓度最低(a)结构示意图 (b)符号发射区：掺杂浓度最高制造三极管时必须满足工艺要求： (1)基区必须做得很薄 (2)发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。(3)集电区比发射区体积大，且掺杂浓度低。PNP型三极管 cRCNRBPbNVCVBe二、三极管的放大原理共射电路(CE)为例 输入、输出回路的公用端为发射极。 三极管处于导通状态必须满足的条件：正偏E结反偏C结从电位的角度看：NPN ： VCVBVEPNP ：VCVBVE收集电流 复合电流 漂移电流 1、载流子的传输过程如图可得直流电流放大系数 2 电流分配关系(1)(2)(3)(4)将(1)式代入(2)式 (5) 将(3)式代入(5)式 穿透电流交流电流放大系数 一般情况下，直流电流放大系数与交流电流放大系数差别很小，在分析估算中常取结论电流分配关系1）三电极电流关系：IE=IB +IC2）IC??IB ，IC?IE 3）IC ? IB， IE ?(1+ )IB 由基极电流的微小变化引起的集电极电流的较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。三极管的三种组态 三极管任何一个电极都可作为输入和输出的公共端，因此，三极管有三种连接方式，称为三种组态。 以发射极为信号输入和输出公共极的电路，称为共发射极电路；以基极作为信号输入和输出公共极的电路，称为共基极电路；以集电极作为信号输入和输出公共极的电路，称为共集电极电路。(a)共发射极电路(b)共基极电路(c)共集电极电路共基电路交流电流放大系数 与 的关系与 的关系共基电路（CB） 直流电流放大系数三、三极管的输入特性与输出特性以NPN管共射电路为例 1 输入特性曲线族 输入回路输出回路 三极管的输入特性曲线与二极管相同，表示以 为参变量时 和 的关系。即 。 硅NPN管的输入特性曲线 分两种情况来讨论。1.UCE=0V，b、e极间加正向电压。 2.UCE≥1V 对于小功率管，UCE=1V的输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 受控性是指 的变化控制 的变化。恒流性是指该区中 基本不随 而变化。 2 输出特性曲线族输出特性共分四个区： （1）放大区 该区具有两个性质：受控性与恒流性具有电流放大作用 三极管工作在该区E结正偏，C结反偏。（2）截止区 IB≤0 没有电流放大作用 （3）饱和区IC与IB无控制关系 没有电流放大作用 概念饱和压降UCES 对小功率管约为(0.3～0.5)V。UCES是分隔放大区与饱和区的分隔线。（4）击穿区 四、三极管的主要参数1 电流放大系数 （1）共射电路直流电流放大系数定义交流放大系数定义图解β值 （2）共基电路直流电流放大系数定义为 交流电流放大系数定义为2 极间反向电流 （1）反向饱和电流ICBO指发射级开路时，集电极与基极间的反向饱和电流。（2）穿透电流ICEO 指基极开路时集电极与发射极间的穿透电流，它与 的关系是3 极限参数（1）集电极最大允许功耗PCM临界功耗线 集电极的功率损耗(简称功耗)。使用时，要求 ，否则管子会过热而烧毁。 值决定于管子允许的温升。 （2）集电极最大允许的电流ICM 的区域称过流区。（3）反向击穿电压U(BR)CEO 在放大区内， 值基本不变，但当 IC 超过一定数值后，β将明显下降。规定当 降到额定值的 时对应的 值为 。（2）共射特征频率（1）共射截止频率4 频率参数 当信号频率较高时，由于管子内部的电容效应作用明显，使值下降。当下降到中低频值 的0.707倍时对应的频率称共射截止频率 。 指当 时的频率。当 时，管子失去放大作用。 （3）共基截止频率三极管幅频特性 硅管 的比锗管小得多，优良的硅管 可以做到10nA以下。对硅管来说， 随温度的变化往往不是主要问题，因此得到广泛地应用。 五、环境温度对三极管参数的影响 1 温度对ICBO的影响ICBO随温度的升高而增大。2 温度对β的影响 三极管的 值随着温度的升高而增大。其规律为每升高1℃， 值增加(0.5～1)％。 3 温度对UBE的影响UBE随温度升高而降低。 当 一定，温度每升高 ， 减小2mV左右，或者说，对相同的 ， 会随着温度的升高而增加。六、三极管的h参数微变等效电路［h］ 晶体管在中低频、小信号作用下等效