半导体二极管和晶体管1.pptVIP

1 、二极管整流电路 晶体二极管电路的应用 V R L u i u o (a) 电路 t u i u o t 0 0 (b) 输入、输出波形关系 半波整流电路 第 32 页 / 共 45 页 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过 大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！ 2 、稳压管稳压电路 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个 PN 结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不 变，为稳定电压。 限流电阻 第 33 页 / 共 45 页 1. 稳定电压 U Z 2. 额定功耗 P Z 击穿后流过管子的电流为规定值时，管子两端的电压值。 由管子升温所限定的参数，使用时不允许超过此值。 3. 稳定电流 I Z 4. 动态电阻 r Z 5. 温度系数 α 在击穿状态下，两端电压变化量与其电流变化量的比值。 表示单位温度变化引起稳压值的相对变化量。 一般为几欧姆到几十欧姆（越小越好） 。 2 、稳压管主要参数 第 34 页 / 共 45 页 § 4.1 半导体物理基础知识 导体 半导体 绝缘体 物质 半导体的特性： 1 ．导电能力介于导体和绝缘体之间； 2 ．导电能力随温度、光照或掺入某些杂质而 发生显著变化。 典型的半导体有 硅 Si 和 锗 Ge 以及 砷化镓 GaAs 等。 第 1 页 / 共 45 页 4.1.1 、本征半导体 本征半导体是 纯净 的晶体结构的半导体。 硅和锗的原子结构简化模型 +4 价电子 (Valence Electron) 硅、锗原子结构示意图 第 2 页 / 共 45 页 1. 本征半导体的晶体结构 硅和锗的共价键结构示意图 第 3 页 / 共 45 页 2 本征激发和两种载流子 本征激发产生空穴－电子对示意图 空穴 ：电子挣脱共价键 的束缚成为自由电子后 ，共价键中所留下的空位。 电子空穴对 —— 由热激发而 产生的自由电子和空穴对 , 统 称载流子 。 空穴的移动 —— 空穴的运动 是靠相邻共价键中的价电子 依次充填空穴来实现的。 半导体区别于导体的一个重要特点是空穴的出现。 第 4 页 / 共 45 页 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空 穴均参与导电，且运动方向相反。由于数目很少， 故导电性很差。 第 5 页 / 共 45 页 4.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质， 可使半导体的导电性发生显著变化。掺入杂质的 本征半导体称为 杂质半导体 。掺入的杂质主要是 三价或五价元素。 N 型半导体 —— 掺入五价杂质元素（如磷）的 半导体。 P 型半导体 —— 掺入三价杂质元素（如硼）的 半导体。 第 6 页 / 共 45 页 5 ? 1. N 型半导体 因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周 围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而 多余的一个价电子因无 共价键束缚而很容易形 成自由电子。 在 N 型半导体中 自由 电子是多数载流子， 它主要由杂质原 子提供； 空穴是少数载流子 , 由热激发形成。 能够在本征半导体中释放自由电子的杂质称为 施主杂质。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为 正离子 ，五价 杂质原子也称为 施主杂质 。 第 7 页 / 共 45 页 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多， 多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 答： N 型半导体是电中性的。虽然自由电子数远大 于空穴数，但由于施主正离子的存在，使正、负电荷 数相等，即自由电子数等于空穴数加正离子数，所以 整个半导体仍然是电中性的 。 问题 ： N 型半导体是带正电还是带负电？ 第 8 页 / 共 45 页 P 型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高， 导电性越强， 2. P 型半导体 因三价杂质原子 在与硅原子形成共价 键时，缺少一个价电 子而在共价键中留下 一个空位。 在 P 型半导体中 空穴是多数载流子， 它主要由掺杂形成； 自由 电子是少数载流子， 由热激发形成。 空位很容易俘获电子，使杂质原子成为 负离子 。三价杂质 因而也称为 受主杂质 。