《半导体物理与器件》第4章MOS场效应晶体管.pptx

;? 场效应晶体管是不同于双极型晶体管的另一类晶体管。 ? 它是一种电压型控制器件，由于它的工作电流只涉及一种载流子（即多数载流 子），所以称其为“单极型晶体管”。 ? 根据结构和制造工艺的不同，场效应晶体管可分为三类：结型场效应晶体管（ JFET）、金属-半导体场效应晶体管（MESFET）和绝缘栅场效应晶体管（ MISFET）。 ? 在绝缘栅场效应晶体管中可以单元素半导体Ge、Si为衬底材料，也可以化合物 半导体GaAs、InP为衬底材料，目前使用Si材料的最多。;? MOSFET在半导体器件中占有相当重要的地位，它是大规模集成电路和 超大规模集成电路中最基本、最核心的组成部分。 ? 所以本章主要讨论MOS场效应晶体管的基本工作原理、直流特性和交流 特性等。 ? 本章在介绍MOS场效应晶体管的基本工作原理之前，首先介绍MOS结构 及其相关特性。 ? 因为MOS结构（也称MOS二极管）是学习MOS场效应器件的基础，亦是 研究半导体表面特性最有用的器件之一，而且在集成电路中还可作为储 存电容器和电荷耦合器件（CCD）的基本组成部分。;主要内容;1.MOS结构与基本性质;理想MOS结构与基本性质;;1. 理想MOS二极管的定义与能带 ? 下图为UG=0时理想P型半导体MOS二极管的能带图。 ? 功函数是指每一种材料从它的费米能级与真空能级之间的能量差， 即金属的功函数为qφm，半导体的功函数为qφs。 ? 图中的qχ为电子亲和力，即半导体中导带底边缘与真空能级的差值 ；而qψF为杂质费米能级EF与本征费米能级Ei的能量差。;所谓理想MOS二极管定义为： ? 1）在外加零偏压时，金属功函数与半导体功函数之间没有能量差，或两者 的功函数差为qφms为零：;;在理想MOS结构的栅极上加正或负的偏压时，在半导体表面可能会出现3种 状况。 ? 对P型半导体而言，当栅极上加一个负电压（UG0），由负偏压产生的从半 导体指向金属栅极的电场会把半导体表面区中的自由电子排斥走，使表面区 的空穴密度增大，半导体表面出现所谓的多数载流子（空穴）的积累。 ? 在这种情形下，接近半导体表面的能带向上弯曲，如下图所示。;;? 对一个理想的MOS二极管而言，不论外加电压为多少，器件内部均 无电流流过。 ? 所以半导体内部的费米能级EF将维持平直，根据半导体物理的相关 知识，在半导体内部的载流子浓度与能级差Ei-EF成指数关系，即：;理想MOS结构及基本性质;? 如果在栅极上加上一个小的正电压UG（UG0），由栅偏压产生的从金属 栅极指向半导体的电场，会把P型硅表面区中的空穴排斥走，形成一个由 带负电荷的受主离子组成的耗尽区，靠近半导体表面的能带将向下弯曲， 此种情况称为耗尽现象。 ? 在半导体中单位面积的空间电荷Qsc的值为qNAW，其中W为表面耗尽区的 宽度，如下图所示。;;? 若在栅极上加一个更大的正电压时，能带向下弯曲得更严重，使得表面 区的本征费米能级Ei越过杂质费米能级EF，如下图所示。 ? 此时意味着正栅极电压在SiO2-Si界面处吸引更多的负载流子（电子）， 半导体中电子的浓度与能级差EF-Ei成指数关系为：;;? 上图的情况为(EF-Ei)0，因此在表面上的电子浓度nP大于ni，空穴 浓度将小于ni。 ? 当P型半导体表面的电子（少数载流子）数目远大于空穴（多数载 流子）数目时，表面上的导电类型就从P型转变为N型，即呈现反 型，此称为反型现象。;? 根据反型的不同程度可分为弱反型和强反型两种。 ? 起初，因电子浓度增加，能带持续弯曲，使得导带的边缘接近费米能级。 当靠近界面的电子浓度等于衬底的掺杂浓度时，开始进入强反型状态。 ? 在此情况之后，大部分在半导体中的额外的负电荷是由电子在很窄的N型 反型层（0≤x≤xi）中产生的Qn所组成，其中，xi为反型区的宽度，xi典型 值的范围从1~10 nm，通常远小于表面耗尽区的宽度。;? 一旦达到强反型发生条件，表面耗尽区的宽度将达到最大值。 ? 因为稍微增加能带弯曲的程度而耗尽区宽度只增加一个小的量，但会造成反 型层中电荷Qn的大量增加。 ? 于是半导体受到了反型层有效屏蔽，电场不能再进一步深入到半导体内，表 面耗尽区厚度就达到了极大值。 ? 在强反型条件下，半导体中每单位面积电荷Qs为反型层中的电荷量Qn与耗尽;2. 表面势与表面耗尽区 ? 下图给出了P型半导体MOS结构在栅极电压UG0情况下更为详细的能带图。 ? 在下面的讨论中，定义与费米能级相对应的费米势为：;;? 静电势ψ的定义如上图所示。 ? 在体内ψ(x)=0，在表面上ψ(0)=ψs，ψs称为表面势。 ? 所谓表面势就是在表面层上的电势降落。氧化层下的半导体通常简称表面 ，MOS结构中的半导体表面就是指的这部分