《半导体物理与器件》第3章双极型晶体管.pptx

;双极型晶体管;3;主要内容;1. 晶体管的结构与工作原理;? 晶体管的种类很多，按使用要求可分为低频管和高频管、小功率管和 大功率管、高压管及开关管等。 ? 晶体管基本结构都是由两个十分靠近的PN结构成的：一个是发射结 ，一个是集电结。 ? 两个PN结将晶体管划分为3个区：发射区、基区、集电区。由3个区 引出的电极分别称发射极、基极、集电极，用符号E、B、C或（e、b 、c）表示。 ? 晶体管有两种基本组合形式：PNP型或NPN型，它们的结构和符号如 下图所示，其符号中的箭头方向表示发射结电流的方向。;晶体管的基本结构;晶体管的制备工艺与杂质分布;晶体管的制备工艺与杂质分布;晶体管的制备工艺与杂质分布;晶体管的制备工艺与杂质分布;2. 平面晶体管 ? 现代晶体管大多数采用都采用平面工艺制备，平面工艺是在台面晶体管工艺的 基础上发展起来的，采用硅半导体材料作衬底，其两个结都由扩散工艺形成， 亦称为双扩散平面管。 ? 其主要过程是在N型硅片上生长一层二氧化硅薄膜，利用光刻技术在氧化膜上 刻出扩散窗口，进行硼扩散，形成P型基区，然后在P型层的氧化膜上再光刻 一个窗口，进行高浓度的磷扩散，得到N+型发射区。 ? 然后采用铝蒸发工艺制备出基极与发射极的引出电极，从原N型基片引出集电 极。 ? 硅片表面全都被氧化层所覆盖，像一个平面一样，所以称其为平面晶体管，其;晶体管的制备工艺与杂质分布;晶体管的制备工艺与杂质分布;晶体管的制备工艺与杂质分布;晶体管的制备工艺与杂质分布;? 由上图可见，双扩散外延平面晶体管的基片电阻率很低，集电 极串联电阻很小，使集电极饱和压降减小，晶体管可做得很小 ，基区宽度Wb很薄，从而使外延平面晶体管在频率特性、开关速 度和功率方面都有很大的提高与改善，因此，该种晶体管成为 目前最主要的一种晶体管。 ? 硅平面晶体管和硅外延平面晶体管的两个PN结也可用离子注入 法制成。;综上所述，晶体管的基区杂质分布有两种形式： ? 以合金管为代表的均匀基区晶体管，其基区杂质分布是均匀的，又称 为均匀基区晶体管。在这类晶体管中，载流子在基区内的传输主要靠 扩散机理进行，所以亦称为扩散型晶体管。 ? 以平面管为代表的缓变基区晶体管，其基区杂质分布是缓变的，这类 晶体管的基区存在自建电场，载流子在基区内除了扩散运动外，还存 在漂移运动，而且往往以漂移运动为主，所以又称为漂移型晶体管。;? 在晶体管内部，载流子在基区中的传输过程是决定晶体 管许多性能的重要环节，而在基区几何参数确定之后， 基区杂质分布是影响载流子基区输运的关键因素。 ? 在进行晶体管理论分析时，常以合金管和平面管为典型 例子。;晶体管的工作原理;晶体管放大电路原理;晶体管的工作原理;晶体管的工作原理;;晶体管的工作原理;晶体管的工作原理;晶体管的放大功能;晶体管的放大功能;晶体管的放大功能;晶体管的放大功能;晶体管的放大功能;2. 晶体管的电流放大特性;晶体管的电流放大特性;平衡晶体管能带与载流子浓度分布：(a) 结构 (b) 能带 (c) 载流子分布;晶体管的能带、浓度分布及载流子的传输;1.平衡晶体管的能带及载流子的浓度 分布 ? UDE和UDC分别表示发射结和集电结的 接触电势差。平衡状态下，晶体管费 米能级处处相等，即具有统一的费米 能级EF。 ? 因此基区相对于发射区和集电区分别 上上移qUDE和qUDC，如图右b所示。 ? 图右c表示3个区平衡状态下的平衡载 流子浓度。;37;2. 非平衡晶体管的能带及少数载流子的浓度分布 ? 当晶体管处于正常放大工作状态时，发射结 加正向偏压UE，集电结加反向偏压UC，如由 图a所示，该连接方式称为晶体管的共基极连 接。;? 由于发射结正偏，发射区要向基区注入非平衡少子——电子，注 入的电子在基区边界积累，并向基区体内扩散，边扩散边复合， 最终形成一稳定分布，用nb(x)表示。 ? 同时基区也向发射区注入非平衡少子——空穴，并形成一稳定分 布，用pe(x)表示。 ? 对于集电结，因为处于反向偏置，集电结势垒区对载流子起抽取 作用，集电结势垒区两边界少子浓度下降为零，集电区少子浓度 用pc(x)表示。;3. 载流子的输运过程 ? 晶体管的工作原理是依靠两个PN结的相互作用实现的，而两个PN结 的相互作用是通过载流子的运输体现出来的。 ? 由于基区厚度远小于基区中少子的扩散长度，因此发射区注入基区 的非平衡少子能够靠着扩散运动通过基区，并被集电结电场收集， 流出集电极，使得反向偏置的集电结流过反向大电流。 ? 可以说，非平衡少子的扩散运动是晶体三极管工作的基础。 ? 下面分3个阶段逐步阐明电子和空穴在晶体管各区中的传输情况。下 图示出了晶体管少数载流子的分布及运输过程。;;（1）发射区向