《半导体物理与器件》第1章基本性质.pptx

;;主要内容;;半导体;;;;? 杂质敏感性：微量杂质可以显著改变半导体的导电特性。 ? 负温度系数：半导体的电阻率随温度升高而下降。 ? 光敏性：光的辐照可以显著改变半导体的导电能力。 ? 电场、磁场效应：半导体的导电能力随电场、磁场的作用 而发生改变。;? 锗是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。 ? 硅是最典型、用量最广泛而数量最多的半导体材料。 ? 近年来一些化合物半导体材料（如砷化镓）已被应用于各 种器件的制作中。;? 晶体：结构基元都具有长程 有序???排列。对称性，各向异;晶体结构与空间点阵;;? 把空间点阵按平行六面体划分为许多大小、形状相同的网格，称为晶胞。;晶胞常数;七大晶系（crystal system）;;? 点阵中穿过若干结点的直线方向称为晶向，晶向指数用记号 [uvw]表示。 ? 晶向指数的确定方法： （1）在一组互相平行的结点直线中引出过坐标原点的结点直线； （2）在该直线上任选一个结点，量出它的坐标值并用点阵周期 a,b,c度量； （3）将坐标值简化成简单整数u、v、w；括以方括号[uvw]。;;晶面指数（hkl）;立方晶体中常用的晶面和晶向指数;晶面间距;对于具体的晶系，晶面间距d的计算公式可简化为：;课堂练习;;;半导体的晶体结构;;孤立原子中电子能级;? 氢原子中电子的能量是分离的，它的能量只能取一系 列不连续的特定值，称为能级。 ? 正常情况下，氢原子的电子处在能量最低的能级上（ 基态），吸收外界能量后，可以从低能级跃迁到高能 级（激发态）。 ? 具有多个电子的原子，其电子所具有的能级同样是不 连续的。;晶体中电子的能带;晶体中电子能带的形成;硅晶体能带的形成过程;能带图的意义;;;;思考题;;主要内容;;本征半导体的导电结构;;;;热平衡状态与热平衡载流子浓度;本征载流子浓度;对于导带电子，在单位体积晶体中允许的能态密度表达式为：;思考;;;T ? 0K;;;;;同样可得价带空穴浓度p的表达式为;;2.两种载流子浓度的乘积;利用本征半导体中电子和空穴浓度的关系n=p=ni，;3.本征载流子浓度与本征费米能级;62;对于本征半导体的费米能级，利用n=p的关系，可得：;;;杂质半导体与杂质半导体的载流子浓度;;;;N型半导体;N型半导体;P型半导体;P型半导体;施主与受主杂质能级;;;;;杂质半导体的载流子浓度;;如果用ND表示施主杂质浓度，用NA表示受主杂质浓度，则：;;;;n ? N ? 2 ? 1016 cm?3;;杂质半导体的费米能级及其与杂质浓度的关系;杂质半导体的费米能级及其与杂质浓度的关系;;90;? 从前式可见，施主浓度越高，能量差（EC-EFN）越小，即费米能级离 导带底越近。同理，受主浓度越高，费米能级离价带顶越近。 ? 为方便，在讨论非本征半导体时，常用本征载流子浓度ni及本征费米 能级Ei表示电子和空穴浓度。经推导得出：;;;解： 温度300K时可以认为杂质原子全部电离，这时有;若从本征费米能级算起：;;;杂质半导体随温度的变化;? 在温度很低时，晶格热振动的能量κT很小，只有少部分杂质能级上 的电子可以激发到导带，在此情况下，杂质的电离将是不充分的， 其多数载流子浓度将小于施主杂质浓度。 ? 在室温附近，本征激发仍然很少，而杂质全部电离，表现出杂质导 电的特点，即多数载流子浓度很大，少数载流子浓度很小。 ? 当温度进一步升高，杂质激发已经饱和，而本征激发却很快增强， 本征激发的载流子浓度迅速增加。 ? 当温度升高到一定程度，本征激发的载流子浓度增加到接近甚至超 过杂质浓度的时候，杂质激发转化为本征激发，从而使半导体的导 电特性从杂质导电转化为本征导电。;100;伴随着温度的升高，半导体的费米能级也相应地发生变化。;? 伴随着温度的升高，N型半导体的费米能级也相应地要从接近导带底的 地方往禁带中央移动，P型半导体的费米能级也相应地要从接近价带顶 的地方往禁带中央移动。 ? 当费米能级移到禁带中央，与本征费米能级足够接近时，半导体也就 从杂质导电转变为本征导电了。 ? 在整个范围内，电子和空穴的浓度公式始终成立。;;;? 本征半导体的载流子只依靠本征激发产生，因此n=p=ni;;;;主要内容;;非平衡流子;? 半导体的平衡条件并不能总成立，往往要偏离平衡状态 而使之处于非平衡状态。 ? 引出一个新概念——非平衡载流子。非平衡载流子在半导 体器件中具有极其重要的意义，许多重要的半导体效应 都和非平衡载流子的作用有关。;非平衡载流子的产生;;? 当用适当波长的光照射半导体表面时，只要光子的能量大于该半导体的 Eg，那么价带电子会吸收光的能量从价带激发到导带去，从而在导带出 现了附加的电子Δn，同时在价带也出现了附加的空穴Δp，Δn和