《半导体器件物理》第5章绝缘栅场效应晶体管.ppt

第 5 章 绝缘栅场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器件，又称为单极型晶体管。 5.1 MOSFET 基础 5.1.1 MOSFET 的结构 绝缘栅场效应晶体管 按其早期器件的纵向结构又被称为 “金属-氧化物-半导体场效应晶体管”，简称为 MOSFET ， 但现在这种器件的栅电极实际不一定是金属，绝缘栅也不一定是氧化物，但仍被习惯地称为 MOSFET 。 MOSFET 的立体结构 N 沟道 MOSFET 的剖面图 5.1.2 MOSFET 的工作原理 当 VGS VT（称为 阈电压 ）时， N+ 型的源区与漏区之间隔着 P 型区，且漏结反偏，故无漏极电流。当 VGS VT 时，栅下的 P 型硅表面发生 强反型 ，形成连通源、漏区的 N 型 沟道 ，在 VDS 作用下产生漏极电流 ID 。对于恒定的 VDS ，VGS 越大，沟道中的电子就越多，沟道电阻就越小，ID 就越大。 所以 MOSFET 是通过改变 VGS 来控制沟道的导电性，从而控制漏极电流 ID ，是一种电压控制型器件。 N 沟道 MOSFET 当 VT 0 时，称为 增强型 ，为 常关型。 VT 0 时，称为 耗尽型 ，为 常开型。 5.1.3 MOSFET 的类型 P 沟道 MOSFET 的特性与 N 沟道 MOSFET 相对称，即： (1) 衬底为 N 型，源漏区为 P+ 型。 (2) VGS 、VDS 的极性以及 ID 的方向均与 N 沟相反。 (3) 沟道中的可动载流子为空穴。 (4) VT 0 时称为增强型（常关型），VT 0 时称为耗尽型（常开型）。 5.1.4 MOSFET 的输出特性 输出特性曲线：VGS VT 且恒定时的 VDS ~ ID 曲线。可分为以下 4 段 ① 线性区 当 VDS 很小时，沟道就象一个阻值与 VDS 无关的 固定电阻，这时 ID 与 VDS 成线性关系，如图中的 OA 段所示。 ② 过渡区 随着 VDS 增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当 VDS 增大到 VDsat ( 饱和漏源电压 ) 时，漏端处的可动电子消失，这称为沟道被 夹断，如图中的 AB 段所示。 线性区与过渡区统称为 非饱和区，有时也统称为 线性区。 ③ 饱和区  当 VDS VDsat 后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区。这时 ID 几乎与 VDS 无关而保持常数 IDsat ，曲线为水平直线，如图中的 BC 段所示。 实际上 ID 随 VDS 的增大而略有增大，曲线略向上翘。 ④ 击穿区 当 VDS 继续增大到 BVDS 时，漏结发生雪崩击穿，或者漏源间发生穿通，ID 急剧增大，如图中的 CD 段所示。 输出特性曲线 以 VGS 作为参变量，可得到不同 VGS下的 VDS ~ ID 曲线族，这就是 MOSFET 的 输出特性曲线。 4 种类型 MOSFET 的特性曲线小结 5.2 MOSFET 的阈电压 定义：使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称为阈电压 ，记为 VT 。 定义：当硅表面处的少子浓度达到或超过体内的平衡多子浓度时，称为表面发生了 强反型 。 在推导阈电压的表达式时可以近似地采用一维分析，即认为衬底表面下空间电荷区内的空间电荷完全由栅极与衬底之间的电压所决定，与漏极电压无关。 5.2.1 MOS 结构的阈电压 1、理想 MOS 结构 （金属与半导体间的功函数差 ?MS = 0 ，氧化层中的电荷面密度 QOX=0 ）当 VG =0 时的能带图。 表面发生强反型时能带的弯曲量是2q?FP，表面势? S = ?s,inv = 2?FP 。 VG = VOX + ?S VT = VOX + ?S = VOX + 2?FP 2、实际 MOS 结构 （1）?MS0，当 VG = 0 时的能带图 VMS= -(?M - ? S )=- ?MS 当 VG = ?MS=VFB 时的能带图 能带恢复为平带状态，这时 ?S = 0，硅表面呈电中性，VFB称为平带电压 要使表面发生强反型，应使表面处的?S =2?FP ，这时能带总的弯曲量是 2q?FP VT = VOX + ?S + VFB = VOX + 2?FP + VFB （2） ?MS=0, Qox0，当 VG = 0 时的能带图 当 VG = -QOx/Cox = VFB 时的能带图 能带恢复为平带状态，这时 ?S = 0， 硅表面呈电中性，VFB称为平带