反相器分析与设计.pptVIP

3.3.1 CMOS 反相器的负载电容 ? C in 由下级电路全部 NMOS 和 PMOS 的栅电容构成。 ? ? 1 1 ( ) N N L DBN DBP GNi GPi DBN DBP N P i ox i i C C C C C C C W W LC ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 栅电容决定 于栅面积 (W × L) 和单 位面积栅氧 化层电容 C ox 。 北京大学微电子学系 贾嵩 2010 31 第 31 页 / 共 55 页 3.3.2 CMOS 反相器输出电压的上升 / 下降时间 ? 定义： ? 输出上升时间 (t r ) ： V 10% ～ V 90% ? 输出下降时间 (t f ) ： V 90% ～ V 10% 北京大学微电子学系 贾嵩 2010 32 第 32 页 / 共 55 页 3.3.2 CMOS 反相器输出电压的上升 / 下降时间 ? (1) 阶跃输入的上升时间 ? PMOS 的导通电流是对负载电 容充电的电流： ? V out ≤ － V TP 时， PMOS 饱和： V out 从 V 10% 上升到－ V TP 的时间： out L DP dV C I dt ? ? ? 2 0 out L P TP DD dV C K V V dt ? ? ? ? ? 10% 1 2 TP L P DD TP V V C t K V V ? ? ? ? ? 北京大学微电子学系 贾嵩 2010 33 第 33 页 / 共 55 页 3.3.2 CMOS 反相器输出电压的上升 / 下降时间 ? (1) 阶跃输入的上升时间 ? V out － V TP 时， PMOS 线性： ? V out 从－ V TP 上升到 V 90% 的时间： ? 总上升时间： ? ? ? ? 2 2 out L P DD TP out TP dV C K V V V V dt ? ? ? ? ? ? ? ? 90% 2 90% 2 ln 2 ( ) DD TP L P DD TP DD V V V C t K V V V V ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 10% 90% 2 90% 2 2 1 ln 2( ) 0.1 1.9 2 1 ln 2( ) 0.1 TP DD TP L r P DD TP DD DD TP L TP DD DD TP P DD TP DD DD TP V V V V V C t K V V V V V V C V V V V K V V V V V ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 北京大学微电子学系 贾嵩 2010 34 第 34 页 / 共 55 页 3.3.2 CMOS 反相器输出电压的上升 / 下降时间 ? (2) 阶跃输入的下降时间 ? NMOS 的导通电流是对负载电容放电的电流： ? V out ≥ V DD － V TN 时， NMOS 饱和： ? V out V DD － V TN 时， NMOS 线性： out L DN dV C I dt ? ? ? ? 2 out L N DD TN dV C K V V dt ? ? ? ? ? ? ? 2 2 out L N DD TN DD TN out dV C K V V V V V dt ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 北京大学微电子学系 贾嵩 2010 35 第 35 页 / 共 55 页 3.3.2 CMOS 反相器输出电压的上升 / 下降时间 ? (2) 阶跃输入的下降时间 ? 总的下降时间： ? 若参数对称，则两时间相等。 ? 两时间主要由负载电容和导电 因子决定。 ? ? ? ? ? ? 10% 90% 2 10% 2 2 1 ln 2 0.1 1.9 2 1 ln 2( ) 0.1 TN DD TN L f N DD TN DD TN TN DD DD TN L N DD TN DD DD TN V V V V V C t K V V V V V V V V V C K V V V V V ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 北京大学微电子学系