氢氟酸乙二醇混合溶液在STI横向刻蚀工艺中的应用.pdfVIP

中国科技论文在线 氢氟酸乙二醇混合溶液在STI 横向刻蚀工艺 中的应用 1 2** 李阳柏 ，程秀兰 5 （1. 上海交通大学微电子学院； 2. 上海交通大学先进电子材料与器件校级平台） 摘要：本文介绍了横向刻蚀工艺在STI 工艺中的作用，氢氟酸乙二醇混合溶液在STI 横向刻 蚀工艺中的应用。并研究了氢氟酸乙二醇混合溶液中氢氟酸的含量、水含量、溶液温度与氮 10 化硅和二氧化硅选择比之间的关系，以及氧化物缺陷的解决方案。 关键词：STI；氢氟酸乙二醇；选择比 中图分类号：TN305.2 HF/EG Mixture Application on STI Pull Back Process 1 2 15 LI Yangbo , CHENG Xiulan (1. ShangHai JiaoTong University, Schoold of Microelectronics; 2. Center for Advanced Materials and Device, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200242) Abstract: The paper researches HF/EG application for pull back process in STI flow. And study the relation between HF concentration, H2O concentration, temperature and etch rate of HF/EG 20 mixture. Oxide residue defect solution is also metioned. Key words: STI; HF/EG; Selectivity 0 引言 [1] 目前很多半导体工艺都应用STI(Shallow Trench Isolation)浅沟道隔离的方法 来隔离有 25 源区（Active Areas ，AA ）。其基本结构如图1，硅衬底上首先生长一层二氧化硅薄膜（SiO2） 作为缓冲氧化层，再在其上生长一层氮化硅薄膜（Si3N4 ）作为之后 CMP 工艺的抛光终点 层。接着在光刻曝光显出场区图案后进行对二氧化硅薄膜，氮化硅薄膜，硅衬底的干法刻蚀， 形成沟槽。然后在沟槽上淀积高质量的SiO2 来隔离有源区，并用CMP 工艺去除多余SiO2， [2] 停在Si3N4 上 。最后用湿法刻蚀去除剩余的Si3N4 和缓冲氧化层。 30 图1 干法刻蚀后STI形貌图 Fig1 Post dry etch STI profile 作者简介：李阳柏(1979.10-) ，男，工程师，研究方向：集成电路工艺 通信联系人：程秀兰(1971.12-)，女，研究员，研究方向：先进微纳加工技术与应用，纳米生物电子技术与 器件 - 1 - 中国科技论文在线