微电子学概论ch4集成电路制造工艺1.ppt

下一页 上一页 P N+ N+ Al Al P ＋ P ＋ MOSFET 下一页 上一页 ? 杂质浓度和分布：影响器件的阈值电压、器 件的电流－电压特性、击穿电压等 ? 杂质浓度： cm -3 ? 杂质分布：结深 ? 掺杂技术 ? 扩散（结较深、线条较粗） ? 离子注入（浅结、细线条） N P N+ N+ Al Al 结深 下一页 上一页 掺杂技术： 扩散 ? 替位式扩散： ? Ⅲ、Ⅴ族元素 ? 杂质原子边有空位，杂质本身有足 够能量克服晶格势垒 ? 一般要在很高的温度 (950 ～1280℃) 下进行 ? 间隙式扩散：间隙 ? Na 、 K 、 Fe 、 Cu 、 Au 等元素 ? 扩散系数要比替位式扩散大 6 ～ 7 个 数量级，扩散温度较低 硅原子 空位 下一页 上一页 ? 选区扩散 ? 不能用光刻胶作掩蔽 ? 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远 小于在硅中的扩散系数，可利用氧化层作为杂 质扩散的掩蔽层 下一页 上一页 扩散系统结构图 下一页 上一页 固态源扩散：如 B 2 O 3 、 P 2 O 5 、 BN 等 固态源扩散系统 下一页 上一页 液态源扩散系统 下一页 上一页 气态源扩散系统 扩散视频 下一页 上一页 ? 离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导 体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子 的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的 数目 ( 剂量 ) 决定 ? 掺杂的均匀性好 ? 温度低：小于600℃ ? 可以精确控制杂质分布 ? 可以注入各种各样的元素 ? 横向扩展比扩散要小得多。 ? 可以对化合物半导体进行掺杂 掺杂技术 ：离子注入 ? 高能离子注入改变晶格结构 ? 设备昂贵 P ＋ B ＋ 下一页 上一页 离子注入系统的原理示意图 下一页 上一页 ? 注入时，表面有氧化层等薄膜 , 做掩蔽层。 N 衬底 P 阱 下一页 上一页 光刻胶 有效掩蔽层 不有效掩蔽层 ? 离子注入的特点 ? 掺杂纯度不受杂质源纯度的影响 ? 可以精确控制注入杂质的数目：剂量和能量 ? 可以注入各种各样的元素 ? 温度低：小于600℃，二氧化硅、氮化硅、光 刻胶、铝作为掩蔽层 ? 横向扩展比扩散要小得多：几乎垂直射入 ? 可以对化合物半导体进行掺杂 下一页 上一页 扩散 VS. 离子注入 下一页 上一页 链接： 硅栅 MOS 结构和自对准技术 ? 问题的提出： P N+ N+ Al P N+ N+ 铝栅 MOS 结构 Al 沟道无法和源漏连上 栅氧化层 ？ 考虑到光刻的对准误差，要求栅氧化层和栅金属电极均 要与源漏有 部分交叠 。 寄生电容 下一页 上一页 ? 解决方法： 硅栅自对准离子注入 采用多晶硅作为栅电极材料，在形成源漏区进 行扩散或离子注入时栅材料起到掩膜的作用，自动 地保证了栅金属与源漏区对准问题，此技术称为 自 对准工艺 下一页 上一页 ? 对晶格的影响 离子与原子核碰撞 —— 级联碰撞 —— 晶格 损伤 离子 损伤区 下一页 上一页 退 火 ? 退火： 也叫热处理，集成电路工艺中所有 的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过 程都可以称为退火。 ? 激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到 晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流 子，起到杂质的作用 ? 消除损伤 ? 退火方式 ： ? 炉退火 ? 快速退火：脉冲激光法、扫描电子束等 离子注入视频 下一页 上一页 OUTLINE Pattern Transfer ? Lithography ? Etching ? Oxidation ? Diffusi