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2020-07-19 发布于天津
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晶体场理论分析解析.ppt

第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论 8.2.2 晶体场理论出发点 : 静电理论中心离子和配体看作点电荷，其相互作用看作离子晶体中阳、阴离子之间静电相互吸引作用，配体间相互排斥。考虑了带负电的配体对中心离子最外层的 d 电子的排斥作用。把配体对中心离子产生的静电场称为晶体场。第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论 8.2.2 晶体场理论 1. 晶体场理论的基本要点中心离子和配体之间的相互作用看作离子晶体中阳、阴离子之间 ( 或离子与偶极分子之间 ) 的静电作用；中心离子的 5 个能量相同的 d 轨道受周围配体负电场的不同程度的排斥作用，发生能级分裂，有的轨道能量高，有的低；由于 d 轨道的能级分裂， d 轨道的电子需重新分布，使体系能量降低，即给配合物带来了额外的稳定化能。第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论在带负电荷均匀球形场的作用下， d 轨道能量均升高相同值 , 能级不发生分裂在八面体配体负电场 ( 八面体场 ) 的作用下 , d 轨道能级发生分裂 E 0 E 自由离子无外电场作用下的 d 轨道 E d xy = E d xz = E d yz = E d x 2 - y 2 = E d z 2 e g t 2g 八面体场 E s 球形场中 8.2.2 晶体场理论 2. 正八面体场中 d 轨道的能级分裂第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论该二轨道处于和配体迎头相碰的位置，其电子受到静电斥力较大，能量高 E 0 E 自由离子 E s 球形场中 e g 八面体场 d x 2 - y 2 d z 2 t 2g d z 2 2. 正八面体场中 d 轨道的能级分裂第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论该三轨道插在配体的空隙中间，其电子受到静电斥力较小，能量比 E s 低 E 0 E 自由离子 E s 球形场中 e g t 2g 八面体场 d x 2 - y 2 d z 2 d xy d xz d yz 第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论 3. 分裂能及其影响因素中心离子 d 轨道能级分裂后，最高能级和最低能级之差。晶体场分裂能 ? o = E e g - E t 2 g E 0 E 自由离子 e g t 2g 八面体场 E s 球形场中 △ o 8-2-2 晶体场理论第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论 E 0 E 自由离子球形场弱八面体场强八面体场 t 2g e g d x 2 - y 2 d z 2 d xy d xz d yz △ o E s d x 2 - y 2 d z 2 d xy d xz d yz △ ? o 配位场越强 ,d 轨道能级分裂程度越大不同构型的配合物，中心离子 d 轨道能级分裂情况不同注意 3. 分裂能及其影响因素第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物第 8 章配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论影响分裂能的因素同种配体一般 △ o △ t ( 四面体场 ) △ t = △ o 4 9 配合物的几何构型第 8 章配位化合物第 8

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