第八章离子注入.pptVIP

? 注入损伤 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤 （ a ）轻离子损伤情况 （ b ）重离子损伤情况 ? 离子注入退火 ? 工艺目的： 消除晶格损伤，并且使注入的杂质转 入替位位置从而实现电激活。 1. 高温炉退火 通常的退火温度：＞ 950 ℃，时间： 30 分钟左右 缺点： 高温会导致杂质的再分布。 2 . 快速热退火 采用 RTP ，在较短的时间（ 10 － 3 ～ 10 － 2 秒）内完 成退火。 优点： 杂质浓度分布基本不发生变化 4.4 离子注入的应用 ? 在先进的 CMOS 工艺中，离子注入的应用： 1. 深埋层注入 2. 倒掺杂阱注入 3. 穿通阻挡层注入 4. 阈值电压调整注入 5. 轻掺杂漏区（ LDD ）注入 6. 源漏注入 7. 多晶硅栅掺杂注入 8. 沟槽电容器注入 9. 超浅结注入 10. 绝缘体上的硅（ SOI ）中的氧注入 ? 闩锁效应（ Latch-Up ） ? 深埋层注入 ? 高能（大于 200KEV ）离子注入，深埋层的作用： 减小衬底横向寄生电阻，控制 CMOS 的闩锁效应 ? 倒掺杂阱注入 ? 高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒 掺杂阱改进 CMOS 器件的抗闩锁和穿通能力。 ? 穿通阻挡层注入 ? 作用： 防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通， 保证源漏耐压。 ? 阈值电压调整注入 ? NMOS 阈值电压公式： Q Bm ＝ q· N B · X dm ， Q Bm 为表面耗尽层单位面积上的电荷密度 ? 轻掺杂漏（ LDD ： L ightly D oped D rain ）注入 ? 作用： 减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。 ? 源漏注入 ? 多晶硅栅掺杂注入 ? 沟槽电容器注入 LPCVD 多晶硅具有非常好的台阶覆盖共形性 ? 超浅结注入：大束流低能注入 ? 作用： 抑制短沟道效应 ? 绝缘体上的硅（ SOI ）中的氢、氧注入 SOI ： IBM （ 2001 ）、 AMD （ 130nm 以下） SOI 结构 SEM 照片 Smart Cut Si Si H Oxidation Hydrogen Implantation Substrate Flip and Bonding SiO 2 SiO 2 SiO 2 Si Substrate Cut and CMP SiO 2 Si SIMOX ? 锗注入形成锗硅源漏区 Si O Oxygen Implantation Si High Temperature Annealing SiO 2 8.5 离子注入设备 ? 离子注入机主要由以下 5 个部分组成 1. 离子源 2. 引出电极（吸极）和离子分析器 3. 加速管 4. 扫描系统 5. 工艺室 ? 离子注入系统 1. 离子源 ? 离子源用于产生 大量的注入正离 子的部件，常用 的杂质源气体有 BF 3 、 AsH 3 和 PH 3 等。 ? 电子轰击气体原 子产生离子。 离子源 第八章：离子注入 掺杂技术之二 8.1 引 言 ? 离子注入的概念： 离子注入是在高真空的复杂系统中，产生电离杂质 并形成高能量的离子束，入射到硅片靶中进行掺杂 的过程。 束流、束斑 ? 高能离子轰击 （氩离子为例） 1. 离子反射（能量很小） 2. 离子吸附（ 10eV ） 3. 溅射（ 0.5keV~5keV ） 4. 离子注入（ 10keV ） ? 离子注入 是继扩散之后的第二种掺杂技术，是现 代先进的集成电路制造工艺中非常重要的技术。 有些特殊的掺杂（如小剂量浅结掺杂、深浓度峰 分布掺杂等）扩散是无法实现的，而离子注入却 能胜任。 ? 离子注入系统 ? 离子注入的优点： 1. 精确地控制掺杂浓度和掺杂深度 离子注入层的深度依赖于离子能量