第3章-可编程逻辑器件工艺和结构（第2讲）.pdf

可编程逻辑器件工艺及结构 可编程逻辑器件工艺 --熔丝连接技术（PROM） 在这种技术的器件中，所有逻辑的连接都是靠熔丝连接的。 熔丝器件是一次可编程的，一旦编程，永久不能改变。 思考题：这种工艺的优势和劣势？ 可编程逻辑器件工艺 --反熔丝连接技术 反熔丝技术和熔丝技术相反，在未编程时，未编程时，成高阻 状态。编程结束后，形成连接。反熔丝器件是一次可编程的，一 旦编程，永久不能改变。 （注：优势和劣势和前面一样） 可编程逻辑器件工艺 --SRAM工艺 基于静态存储器SRAM的可编程器件，值被保存在SRAM的晶 体管中。只要供电，器件信息就不会丢失。特点： （1）SRAM存储数据需要消耗大量的硅面积 （2）断电后数据丢失。 （3 ）这种器件可以反复的编程和修改。 绝大多数的FPGA都采用这种工艺，这就是为什么FPGA外部都 需要有一个PROM芯片来保存设计代码的原因。 思考题：此处所说的“设计代码”的含义是什么？ 可编程逻辑器件工艺 --SRAM工艺 WL VDD M2 M4 Q 读/写控制 M 5 Q M 6 配置控 制 M 1 M 3 数据IO BL BL 可编程逻辑器件工艺 --掩膜工艺（ROM ） ROM是非易失性的器件。系统断电后，信息被保留在存储单 元中。ROM单元保存了行和列数据，形成一个阵列，每一列有负 载电阻使其保持逻辑1，每个行列的交叉有一个关联晶体管和一个 掩膜连接。其特点： （1）可以读出信息，但是不能写入信息。 （2）这种技术实现代价比较高，在实际中很少使用。 可编程逻辑器件工艺 --掩膜工艺（ROM ） A0~An-1 W0 n W(2 -1) ∙ ∙ ∙