半导体和电介质材料（可修改）.ppt

砷化镓——第二代半导体材料 特点： 化合物半导体，晶体结构是闪锌矿型， 禁带宽度为1.43 eV 容易制成半绝缘材料(电阻率107 ~ 109Ω·cm) 本征载流子浓度低 光电特性好 耐热、抗辐射性能好和对磁场敏感 用途： 光电材料，适合于制造高频、高速的器件和电路，发光二极管、场效应晶体管等。 .......... * .......... * .......... * .......... * 分 类 半绝缘砷化镓 低阻砷化镓 .......... * 高温区：高于GaAs熔点，维持熔融状态； 低温区：防止As挥发损失； 中温区：调整固液界面附件温度梯度，并抑制石英舟污染 .......... * 氮化镓——第三代半导体材料 氮化镓及其相关氮化物材料： 是指元素周期表中ⅢA族元素铝、镓、铟和Ⅴ族元素氮形成的化合物(AlN、GaN、InN，)以及由它们组成的多元合金材料(InxGa1-xN，AlxGa1-xN）等。 .......... * 特点： 三种晶体结构：闪锌矿、纤锌矿和岩盐矿 宽禁带半导体材料： InN---1.9 eV，GaN---3.4 eV，AlN---6.2eV 用途： 晶体管、 发光管、激光二极