6.4.2 肖特基势垒探测器.pdf

6.4 红外焦平面探测器 红外焦平面探测器 ◆ 焦平面的概念与基本结构 ◆ 肖特基势垒探测器 ◆ 量子阱与量子点探测器 ◆ 倒装互连技术 6.4 红外焦平面探测器 6.4.2 肖特基势垒探测器 肖特基势垒探测器 肖特基势垒IR-CCD探测器 ❖ 肖特基势垒IR －CCD——单片式红外焦平面探测器的一种，是 为解决大面积均匀性问题而设计出来的。 ❖ 特点：利用Si集成电路工艺，在Si衬底上制作肖特基势垒二极管 面阵及信息处理部分，构成焦平面阵列。 ❖ 基本结构是由沉淀在Si上的金属 （Pt或Pd）构成，在金属和硅半 导体之间形成肖特基势垒。 肖特基势垒光电探测器－工作原理 h 抗反射涂层 SiO2 ❖ 金属淀积在半导体表面而形成的具 有单向导电，整流作用的金属半导 N 体接触－肖特基势垒； N+ A l 肖特基势垒光二极管结构 肖特基势垒光电探测器－工作原理 •半导体中的费米能级高于金属中的费米能级，两 者接触后，为使费米能级达到平衡，在接触面电子 流向金属，电子电荷分布在金属层10-10m以内，半 导体的表面层形成空间电荷区厚几个μm。 •结果，半导体附近能带弯曲，形成势垒，势垒阻 挡金属与半导体内的电子交换，形成高阻层。 •正偏时 （金属接阳极），势垒变窄，形成大正向 电流。 •反偏时(金属接阴极），势垒变宽，故电流很小， 所以肖特基势垒只能单向导电。 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺） 肖特基势垒光电探测器－工作原理 流经肖特基势垒的电子流密度主要经过四个过程 1. 半导体电子越过势垒进入金属－热发射； 2. 电子由量子力学隧道穿过势垒；－隧道电 流； 3. 空间电荷区电子与空穴的复合； 4. 金属向半导体的少数载流子 （空穴）注入。 ➢ 对于理想的肖特基势垒二极管，通常以1过 程为主，并可忽略少数载流子的注入影响。 肖特基势垒IR-CCD探测器 ❖ 工作原理： 辐射透过硅照在硅化物上产生热空穴； 这些空穴能越过势垒进入到硅基底； 从而在硅化物一边的电极上积累负电荷， 形成信号；  由于铝层的反射作用，硅化物对辐射的吸 收增强，可使灵敏度提高一个数量级。 肖特基势垒光电探测器－工作模式 ❖ E hυeφ ，VV -击穿电压，金属 g B B 中的激发电子穿过肖特基势垒，收集 于半导体； ❖ hυ E ，VV -入射辐射产生电子空 g B 穴对，P-I-N光电二极管模式； ❖ hυ E ，V≈V 高于反偏压，雪崩光 g B 二极管工作模式。 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料