2第二章模拟电子技术之一.ppt

2.1.5 单极型晶体管（场效应管） —— FET Field Effect Transistor 场效应管按其结构的不同可分为 : 结型场效应管 (JFET) —— Junction FET 绝缘栅型场效应管 (IGFET 或 MOS) —— Insulated Gate FET Metal-Oxide-Semiconductor 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出 回路电流的一种半导体器件，它仅靠半导体中的多数 载流子导电，所以又称为单极型晶体管。温度稳定性 好，阻抗高。 N 基底 ： N 型半导体 P P 两边是 P 区 G( 栅极 ) S 源极 D 漏极 一、结构 2.1.5.1 结型场效应管 : 导电沟道 N P P G ( 栅极 ) S 源极 D 漏极 N 沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G ( 栅极 ) S 源极 D 漏极 P 沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以 P 沟道为例） U DS =0V 时 P G S D U DS U GS N N I D PN 结反偏， U GS 越 大则耗尽区越宽， 导电沟道越窄。 P G S D U DS U GS I D U DS =0V 时 N N U GS 越大耗尽区越宽，沟 道越窄，电阻越大。 但当 U GS 较小时，耗尽区 宽度有限，存在导电沟道。 DS 间相当于线性电阻。 P G S D U DS U GS N N U DS =0 时 U GS 达到一定值时（ 夹 断电压 V P ） , 耗尽区碰到 一起， DS 间被夹断，这 时，即使 U DS ? 0V ，漏 极电流 I D =0A 。 I D P G S D U DS U GS U GS V p 且 U DS 0 、 U GD V P 时耗尽 区的形状 N N 越靠近漏端， PN 结 反压越大 I D P G S D U DS U GS U GS V p 且 U DS 较大时 U GD V P 时耗 尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特 性，但是是非线性 电阻。 I D G S D U DS U GS U GS V p U GD = V P 时 N N 漏端的沟道被夹断，称为 预夹断。 U DS 增大则被夹断区 向下延伸。 I D G S D U DS U GS U GS V p U GD =V P 时 N N 此时，电流 I D 由未被夹断 区域中的载流子形成，基 本不随 U DS 的增加而增加， 呈恒流特性。 I D 三、特性曲线 U GS 0 I D I DSS V P 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定 U DS 下的 I D -U GS 曲线 预夹断曲线 I D U DS 2V U GS =0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 N 沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 U GS 0 I D I DSS V P 输出特性曲线 I D U DS 0 U GS =0V -1V -3V -4V -5V N 沟道结型场效应管的特性曲线 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达 10 7 以上，但在某些场 合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的 PN 结加正向电压时，将出现较大的 栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下， PN 结的反向电流增大，栅源极间的 电阻会显著下降。 2.1.5.2 绝缘栅场效应管 : 一、结构和电路符号 P N N G S D P 型基底 两个 N 区 SiO 2 绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N 沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电 沟道 G S D N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电 沟道 二、 MOS 管的工作原理 以 N 沟道增强型为例 P N N G S D U DS U GS U GS =0 时 D - S 间相当于两 个反接的 PN 结 I D =0 对应截止区 P N N G S D U DS U GS U GS 0 时 U GS 足够大时 （ U GS V T ）感应 出足够多电子，这 里出现以电子导电 为主的 N 型导电沟 道。 感应出电子 V T 称为阈值电压 U GS 较小时，导电 沟道相当于电阻将 D-S 连接起来， U GS 越大此电阻越小。 P N N G S D U DS U GS P N N G S D U DS U GS 当 U DS 不太大时， 导电沟道在两个 N 区间是均匀的。 当 U DS 较大时， 靠近 D 区的导电 沟道变窄。 P N N G S D U D