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第六篇习题 -金属和半导体接触 刘诺 编 6-1、什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ 6-2、什么是 Schottky势垒？影响其势垒高度的因数有哪些？ 6-3、什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分 析。 6-4、什么是镜像力？什么是隧道效应？它们对接触势垒的影响怎样的？ 6-5、施主浓度为 7.0 ×1016cm-3 的 n 型 Si 与 Al 形成金属与半导体接触， Al 的功 函数为 4.20eV，Si 的电子亲和能为 4.05eV ，试画出理想情况下金属 -半导体接触 的能带图并标明半导体表面势的数值。 6-6、分别分析 n 型和 p 型半导体形成阻挡层和反阻挡层的条件。 6-7、试分别画出 n 型和 p 型半导体分别形成阻挡层和反阻挡层的能带图。 6-8、什么是少数载流子注入效应？ 6-9、某 Shottky 二极管，其中半导体中施主浓度为 2.5 ×1016cm-3 ，势垒高度为 0.64eV，加上 4V 的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？ 6-10、试根据能带图定性分析金属 -n 型半导体形成良好欧姆接触的原因。 第六篇 题解 -金属和半导体接触 刘诺 编 6-1、答：功函数是指真空电子能级 E0 与半导体的费米能级 EF 之差。影响功函 数的因素是掺杂浓度、温度和半导体的电子亲和势。 接触势则是指两种不同的材料由于接触而产生的接触电势差。 6-2、答：金属与 n 型半导体接触形成阻挡层，其势垒厚度随着外加电压的变化 而变化，这就是 Schottky 势垒。影响其势垒高度的因素是两种材料的功函数， 影响其势垒厚度的因素则是材料（杂质浓度等）和外加电压。 6-3、答：欧姆接触是指其电流 - 电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。形 成欧姆接触的常用方法有两种，其一是金属与重掺杂 n 型半导体形成能产生隧 道效应的薄势垒层，其二是金属与 p 型半导体接触构成反阻挡层。其能带图分 别如下： 6-4、答：金属与半导体接触时，半导体中的电荷在金属表面感应出带电符号相 反的电荷，同时半导体中的电荷要受到金属中的感应电荷的库仑吸引力，这个 吸引力就称为镜像力。 能量低于势垒顶的电子有一定几率穿过势垒，这种效应就是隧道效应。隧 道穿透的几率与电子的能量和势垒厚度有关。 在加上反向电压时，上述两种效应将使得金属一边的势垒降低，而且反向 电压越大势垒降得越低，从而导致反向电流不饱和。 6-5、解：金属与半导体接触前、后能带图如图所示 E n k T n0 Nc e 0 N c E k T ln n 0 n0 19 2.8 10