半导体光电器件材料生长与管芯制作工艺及应用.pdfVIP

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2020-10-02 发布于四川
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半导体光电器件材料生长与管芯制作工艺及应用.pdf

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内部培训内部培训半导体光电器件材料生长与管芯制作工艺及应用半导体光电器件材料生长与管芯制作工艺及应用 HG Genuine 主讲人：吴瑞华（管芯技术部）主讲人：吴瑞华（管芯技术部） 2009.7.27 2009.7.27 概要光电子技术是研究光子的产生、传输、控制和探测，光子与物质的相互作用及其应用等的科学技术，在信息领域可以简单认为是利用光子代替电子来传波信息的技术目前，光电子技术研究热点是以光通信为主的信息领域，以光子或光波代替电子或电磁波作为信息载体是超高速和超大容量信息技术发展的必然选择。由于光频比微波频率高几个数量级，因而无论在速度、容量还是在空间相容性上光子技术都比20世纪的电子技术有着巨大优势。在光通信与光信息领域，半导体光电子器件的应用随着半导体工艺的改进和新材料的开发将越来越广泛，其发挥的作用也越来越重要。且本公司生产和开发的半导体激光芯片和探测器芯片正是应用于光纤通信网络发射和接收。本次培训大纲基于MOCVD工艺研发达到的技术水平和激光器芯片工艺指标，我们认为无论是材料生长工艺程序设计还是各生长参数控制都需要有进一步的准确限制，而这些技术问题的解决需要充分丰富的理论基础支持。因此为了提高每个员工的工作能力，更好的更有效的为公司发展贡献最大的力量，培训大纲如下： 1.MOCVD 一次外延生长 2.外延片清洗处理 3. PECVD SiO2掩膜层 4.光刻 5. RIE 6. 电极制作 7.合金 8.解理 9.测试激光器工艺流程接触条成型外延片清洗 PECVD SiO2掩膜层光刻接触条 RIE(SiO2) RIE(InP) 去胶 PECVD SIO2钝化层 10%HF去SiO2+4:1 湿法腐蚀套刻接触条 RIE(SiO2) 光刻电极 P面溅射剥离减薄测试解理合金 N面溅射清洗探测器工艺流程接触环成型外延片清洗 PECVD SiO2掩膜层光刻接触环 RIE(SiO2)加湿法