电力电子技术-23_GTO与GTR演示幻灯片.pptVIP

1-1 2.4 典型全控型器件 · 引言 门极可关断晶闸管 —— 在晶闸管问世后不久 出现。 20 世纪 80 年代以来，电力电子技术进入了一 个崭新时代。 典型代表 —— 门极可关断晶闸管、电力晶体 管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管 。 1-2 典型全控型器件 · 引言 常用的典型全控型器件 电力 MOSFET IGBT 单管及模块 1-3 2.4.1 门极可关断晶闸管 晶闸管的一种派生器件。 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO 的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而 在 兆 瓦 级 以 上 的 大 功 率 场 合 仍 有 较 多 的 应 用 (6KV ,6KA,10MV A 的系统 ) 。 门极可关断晶闸管 （ Gate-Turn-Off Thyristor — GTO ） 1-4 2.4.1 门极可关断晶闸管 结构 ： 与普通晶闸管的 相同点 ： PNPN 四层半导体结构，外部引 出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的 不同点 ： GTO 是一种多元的功率集成器件 。 图 1-13 GTO 的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号 1 ） GTO 的结构和工作原理 c) 图 1-13 A G K G G K N 1 P 1 N 2 N 2 P 2 b) a) A G K 1-5 门极可关断晶闸管 工作原理 ： 与普通晶闸管一样，可以用图 1-7 所示的双晶体管模型来 分析。 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) b) ? 1 + ? 2 =1 是器件临界导通的条件。 ? 1+ ? 21 时器件饱 和导通， ? 1+ ? 21 时器件不能维持饱和导通而管断。 由 P 1 N 1 P 2 和 N 1 P 2 N 2 构成的两个晶体管 V 1 、 V 2 分别具有共 基极电流增益 ? 1 和 ? 2 。 ) ( 1 2 1 CBO2 CBO1 G 2 A ? ? ? ? ? ? ? ? I I I I 1-6 门极可关断晶闸管 GTO 能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有 如下 区别 ： 设计 ? 2 较大，使晶体管 V 2 控 制灵敏，易于 GTO 。 导通时 ? 1 + ? 2 更接近 1 ，导通 时接近临界饱和，有利门极 控制关断，但导通时管压降 增大。 条状多元集成结构，使得 P 2 基区横向电阻很小，能从门 极抽出较大电流。 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 b) 图 2-7 晶闸管的工作原理 1-7 GTO 的结构与工作特性 ? P 区薄；门阴极距离最小化；条状阴极最大化外沿； N- 层与阳极短路。 ? 在器件导通状态下，为了使栅极实现有效地关断功能， 一个 BJT 的电流放大系数很大（接近 1 ）、而在阴极一 端 BJT 的的电流放大系数很小，即 a2a1 ，这也就是 GTO 的关断条件。为了降低阳极一端 BJT 的电流放大 系数 : N- 层与阳极短路 N + P N - P + Q2 Q1 K G A G A K 短路 K K G G G P N+ N+ K的条状结构 J3 J2 J1 阳极 阴极 门极 1-8 GTO 关断特点 ? GTO 关断：门极加负脉冲后，靠近门极的阴极 边缘首先反偏，阴极电流逐渐向阴极条中心收 缩，形成挤流效应，称为二维关断过程。到阴 极电流不能收缩、门极分流使双晶体管电流再 生机制中断，器件各ＰＮ结先后恢复阻断，相 当于基极开路的晶体管关断称为一维关断过程 。 N + P N - P + Q2 Q1 K G A G A K 短路 K K G G G P N+ N+ K的条状结构 J3 J2 J1 阳极 阴极 门极 dv/dt 限制：挤流末期阳极电压上升过 快会局部功耗过大，热损坏，且过大 的极间电容充电电流会向双晶体管提 供再生基极电流，使关断失败，必须 加吸收缓冲电路限制。 ? 关断后必须保持一段时间后才可再次开通，使 各结完全恢复。 1-9 GTO 的关断 ? GTO 导通与晶闸管相同 ? GTO 关断增益 I A /I G ： b =2 ～ 10 0 1000 2000 3000 5 10 15 20 25 I k I a V D GTO 晶闸管导通区 晶体管关断区 关断区 I g t s ? A －1000 电流 GTO的关断过程 P N P N G+ A K - 导 通 P N P N G- A K+ - GTO关断 P N P N G- A