第二节霍尔传感器.ppt

霍尔开关集成传感器内部结构框图 2 3 输出 + － 稳压 VCC 1 霍耳元件 放大 BT 整形 地 H （2）线性应用 + － +15V H -15V R3 R1 R2 R4 Rf 集成线性传感器的电路结构框图 2 3 输出 + － 稳压 VCC 1 霍耳元件 放大 地 H 四、霍尔元件的测量误差补偿方法 1、零位误差及补偿方法 零位误差：霍尔元件在加控制电流但不加外磁场时出现的霍尔电势。主要为不等位电势。 分析不等位电势时，可以把霍尔元件等效为一个电桥， 用分析电桥平衡来补偿不等位电势。 2、温度误差及补偿方法 （a）RH与温度的关系 T/℃ 0 2 4 6 ρ/7×10-3Ω·cm LnAs 200 150 100 50 LnSb T/℃ RH/cm2/℃﹒A-1 250 200 150 100 50 40 80 120 160 200 LnSb LnAs 0 （b）ρ与温度的关系 （1）、利用输出回路并联电阻进行补偿 基本电路 等效电路 （2）、利用输入回路串联电阻进行补偿 实际补偿电路 1、测量磁场的大小和方向 电位差计 mA E S N R 霍耳磁敏传感器测磁原理示意图 五、霍尔传感器应用 2、 霍尔式微位移传感器 UH量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。这种结构的传感器， 其动态范围可达5 mm，分辨率为0.001mm。 3、 霍尔式转速传感器 4、 霍尔计数装置 5、汽车霍尔点火器 第三节 磁敏传感器 一、磁敏电阻器 磁阻效应: 若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 Ｂ——为磁感应强度； ρB——材料在磁感应强度为Ｂ时的电阻率； ρ0 ——材料在磁感应强度为0时的电阻率； μ——载流子的迁移率。 二、磁敏二极管 1、结构 P N I r 区 + - 简写为SMD。磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I，本征区I的一面磨成光滑的复合表面（为I区），另一面打毛，设置成高复合区（为r区），其目的是因为电子-空穴对易于在粗糙表面符合尔消失。当通以正向电流后就会在P、I、N结之间形成电流。磁敏二极管是PIN型。 I P N 2、工作原理 H=0 ← ← ← → → → 电子 空穴 复合区 （1）当磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正偏压，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量的电子注入P区。形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合。 （2）当磁敏二极管受到外界磁场H+作用时 电子、空穴受到洛仑兹力作用而向r区偏移，由于r区的电子、空穴复合率比光滑面I区快，因此形成的电流因复合速度而减小。 H+ I P N （3）当磁敏二极管受到外界磁场H-作用时 电子、空穴受到洛仑兹力作用而向I区偏移，由于电子、空穴复合率明显变小，则电流变大。 H - I P N 结论：随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。若r区和r区之外的复合能力之差越大，那么磁敏二极管的灵敏度就越高。 磁敏二极管反向偏置时，则在 r区仅流过很微小的电流，显得几乎与磁场无关。因而二极管两端电压不会因受到磁场作用而有任何改变。 三、磁敏三极管 1、结构 b c e r N+ N+ c e H- H+ P+ b i （2）当受到H＋磁场作用如图，由于洛仑兹力作用，载流子向发射结一侧偏转，从而使集电极电流明显下降。 N+ c y e r x P+ b N+ 第二节 霍尔传感器 第一节 磁电感应式传感器 第八章 磁电式传感器 第三节 磁敏传感器 一、 磁电感应式传感器工作原理 式中: B——稳恒均匀磁场的磁感应强度； l——导体有效长度； v——导体相对磁场的运动速度。 第一节 磁电感应式传感器 导体在稳恒均匀磁场中运动 N匝线圈处于变化的磁场中 两种磁电式传感器结构：变磁通式和恒磁通式。 开磁路变磁通式：这种传感器结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。 闭磁路变磁通式：感应电势的频率与被测转速成正比。 恒定磁通动圈式磁电传感器 恒定磁通动铁式磁电传感器 二、 磁电感应式传感器基本特性 式中： Rf——测量电路输入电阻； R——线圈等效电阻。 传感器的电流灵敏度为 而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为 相对误差为 三、磁电感应式传感器的测量电路 四、磁电感应式传感器的应用 动圈式振动速度传感器 1、芯轴 2、外壳 3、弹簧片 4、铝支架 5、永久磁铁 6、线圈 7、阻尼环 8、引线 一、霍尔效应和霍尔元件的工作原理