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宽禁带材料的发展 宽禁带半导体材料及其器件应用新发展 摘要：近几年以 SiC 为代表的宽禁带半导体材料 以其宽的禁带宽度、 高的击穿场强、 高饱和漂移 速度和高热导率，小介电常数和高的电子迁移 率，以及抗辐射能力强等特性而成为国内外研究 的热点，更成为制作高频、大功率、耐高温和抗 辐射器件的理想材料。 文章综述了 SiC 的材料特 点、应用以及 SiC 材料发展现状及末来发展趋 势。 关键字： SiC 宽禁带材料 1. 特点 SiC是宽带隙半导体，室温下带隙为 2.39eV (3C-SiC) ～3.33eV (2H-SiC) 。通过对能带结构 的研究发现 , 它们所有的价带 - 导带跃迁都有声 子参与 , 也就是说这些类型的 SiC半导体都是间 接带隙半导体。碳化硅独有的力学 , 光学 , 电学 , 和热属性使它在各种技术领域具有广泛的应用。 SiC是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料 , 它有效的发光来源于通过杂质能级的间接复合 过程 . 因此 , 掺入不同的杂质 , 可改变发光波长 , 其范围覆盖了从红到紫的各种色光 . 实验上发现 SiC与氮化物可形成一种稳定单晶结构的固溶体 , 晶格常数与 6H-SiC基本匹配 , 当组分 x 达到一定 值时 , 将发生间接带隙向直接带隙的转变。一旦 变成直接带隙 , 其发光性能将大幅变化 , 在短波 长发光和超高亮度二极管方面有巨大的应用潜 力。同时 SiC具有高热导率、高电子饱和漂移速 度和大临界击穿电压等特点， 成为研制高频大功 率、耐高温、 抗辐照半导体微电子器件和电路的 理想材料。 2. 国内外发展现状 SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料， SiC器件能耐高温 (500 度以上 ) 、高电压 (1200V 以 上) ，具有功率大、电流大、功耗小、频率高等优 良特性，适用于大型电气设备系统，军用武器装 备系统等，其耐差环境的特性是其他材料无法比 拟的。 SiC蓝光 LED是唯一商品化的 SiC器件 , 各种 SiC 多型体的 LED覆盖整个可见光和近紫外光区 域。 6H-SiC纯绿光 (530nm) 的LED通过注入 Al 或液 相外延得到 , 蓝光二极管是 N-Al 杂质对复合发光 , 4H-SiC蓝光二极管是 N-B杂质对复合发光。美国 Cree公司是最早研究和生产 SiC 晶体和晶片的公 司, 其研制的蓝光 LED发光中心为 470nm,发光功率 达到 18微瓦。他们在 1997年到 1998年之间就可以 生产 2到3英寸的 SiC晶片。该公司后来同日本著名 的日亚化学公司合作生产蓝光和紫光 LED器件。最 近几年 , 欧盟和法国分别启动基于 SiC的半导体器 件重大项目 , 极大地推动了 SiC研究在欧洲的进 度。 SiC作为第三代宽禁带半导体的典型代表 , 无论是单晶衬底质量、导电的外延层和高质量的 介质绝缘膜和器件工艺等方面 , 都比较成熟