电工学(下册)电子技术基础第4章习题解答.docxVIP

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  • 2020-11-15 发布于天津
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电工学(下册)电子技术基础第4章习题解答.docx

15 15 (1) (1) ⑵ 第4章场效应管放大电路与 功率放大电路 4.1图4.1所示为场效应管的转移特性, 请分别说明场效应管各属于何种类型。 说明它 的开启电压Uth (或夹断电压Up)约是多少。 图4.1 习题 图4.1 习题4.1图 解:(a) N沟道 耗尽型FET Up=— 3V; P沟道 增强型FET Ut= — 4V ; P沟道 耗尽型FET Up=2V。 4.2 某MOSFET的Idss = 10mA且Up = — 8V。⑴ 此元件是 P沟道还是 N沟道?(2)计 算 Ugs = — 3V 是的 Id; (3)计算 Ugs = 3V 时的 Id。 解: (1) N 沟道; ⑵ 1 D 1 DSS(1 U GS ) 10 (1 |) 3.9(mA) U p 8 1 DSS(1 Ugs、 10 (1 3、 18.9(mA) ⑶ 1 D -) U p 8 4.3画出下列FET的转移特性曲线。 Up = — 6V, Idss = 1mA 的 MOSFET ; (2) Ut = 8V , K = 0.2mA/V 2的 MOSFET。 解: 4.4试在具有四象限的直角坐标上分别画出 4种类型MOSFET的转移特性示意图,并 标明各自的开启电压或夹断电压。 解: 4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。 解:(a)能放大 不能放大,增强型不能用自给偏压

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