半导体工艺基础 单晶硅特性.pptVIP

半导体工艺基础;第1章 单晶硅特性;硅; 1.1 硅晶体结构的特点;硅、锗、砷化镓电学特性比较;锗应用的最早，一些分立器件采用； GaAs是目前应用最多的化合物半导体，主要是中等集成度的高速IC，以及光电器件 从电学特性看硅并无多少优势 （如下页表），硅在其它方面有许多优势 ;;硅作为电子材料的优点;硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞;硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞;硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞;硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞;1.2 硅晶向、晶面和堆积模型;硅晶面;硅的原子线密度;硅晶面;ABAB… 六角密积 （镁型）;六角密积;立方密积：第三层的另一种排列方式，是将球对准第一层的 2，4，6 位，不同于 AB 两层的位置，这是 C 层。;面心立方晶格;硅晶体为双层立方密积结构;解理面;1.2 硅晶体缺陷;点缺陷;;线缺陷;刃位错和螺位错;刃形位错的运动;;缺陷的产生及结团;缺陷的去除;1.3 硅中杂质;Si中杂质类型;1.3.1杂质对Si电学特性的影响;硅晶体中杂质能级和电离能; 硅单晶电阻率与掺杂浓度关系曲线;1.3.2 杂质在硅晶体中的溶解度;1.3.2 杂质在硅晶体中的溶解度;固溶体;硅晶体中杂质的固溶度;相图知识;相图用途;相图的构成：由两条曲线将相图分为三个区。左右两端点分别为组元的熔点。上面的一条曲线称为液相线，液相线之上为液相的单相区，常用L表示；下面的一条曲线称为固相线，固相线之下为固溶体的单相区，常用α表示；两条曲线之间是双相区，标记L+α表示。 ;相图与冷却曲线的关系：;两相平衡时的数量分配规律－－杠杆定律;连续性固溶体：锗-硅相图;铝-硅体系相图 ;砷-硅体系相图;本章小结