肖特基接触及欧姆接触.docVIP

欧姆接触 是半导体设备上具有线性并且对称的电流 - 电压特性曲线（ I-V curve ）的区域。如果电流 - 电压特性曲线不是线性的， 这种接触便叫做肖特基接触。 理论：任何相接触的固体的费米能级（化学势）必须相等，费米能级和真空能级 的差值称为功函数， 因而，接触的金属和半导体具有不同的功函数。 当两种材料相接触的时候 电子会从低功函数的的一端流向另一端 直到费米能级平衡； 从而低功函数的材料带有少量正电荷， 高功涵的材料带有少量负电荷， 最终得到的静电势称为内建场。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。 欧姆接触 是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本 身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区 (Active region) 而 不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （ 1）金属与半导体间有低的势垒高度 (Barrier Height) 使界面电流 中热激发部分 (Thermionic Emission) 增加 2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧ 10EXP12 cm-3) 使半导体耗尽 区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling) ，而同时使 Rc 阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙 (Energy Cap) 较大的半导体 ( 如GaAs)，则较难形成欧姆接触 ( 无适当的金属可用 ) ，必须于半导体表面掺 杂高浓度杂质，形成  Metal-n  ＋ -n or Metal-p+-p  等结构。 肖特基接触 是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。 理论：当半导体与金属接触的时候由于半导体的电子逸出功一般比金属小， 电子 就从半导体流入了金属， 在半导体的表面层形成一个带正电不可移动的杂质离子 组成的空间电荷区域。电场方向由半导体指向金属， 阻止电子继续向金属中扩散。 界面处半导体能带发生了弯曲，想成一个高势能区，这就是肖特基势垒。 肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。